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日前，全球首顆采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲器）存儲技術(shù)AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片完成開發(fā)和認(rèn)證。該新型嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯片由存儲器設(shè)計(jì)公司睿科微電子[1]提供技術(shù)支持，由北方華創(chuàng)提供刻蝕和薄膜設(shè)備及工藝解決方案。[1]合肥睿科微電子有限公司，專注于新型存儲器領(lǐng)域的... （來源：新聞?lì)l道）
北方華創(chuàng)睿科微嵌入式RRAM顯示驅(qū)動(dòng)芯片 2024-8-28 08:50
實(shí)際的應(yīng)用中，RRAM的激勵(lì)源是脈沖信號。因此，脈沖測試的優(yōu)化對RRAM器件來說更為重要。一個(gè)典型的RRAM器件的脈沖循環(huán)測試如圖所示，執(zhí)行完一次SET脈沖操作，進(jìn)行一次讀脈沖驗(yàn)證；再執(zhí)行一次RESET脈沖操作，再進(jìn)行一次讀脈沖驗(yàn)證。常規(guī)的SET脈沖和RESET脈沖信號都是簡單的矩形波，但是往往得不到... （來源：電子百科頻道）
RRAM 2017-9-12 13:47
RRAM的器件性能與電學(xué)操作方法有關(guān)，即與器件的forming、SET、RESET過程中具體外加電壓／電流信號的方式有關(guān)。在RRAM器件的研究工作中，通常使用直流電壓掃描方式(VSM)來對器件單元進(jìn)行基本的操作，獲取器件的電阻轉(zhuǎn)變參數(shù)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是操作簡單，而且比較直觀。然而在采用直流電壓掃描的方... （來源：電子百科頻道）
PRAM器件限流器 2016-10-13 13:53
電化學(xué)金屬化(electrochemical metallization)機(jī)制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態(tài)電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學(xué)活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學(xué)惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構(gòu)成。該類RRAM的電阻轉(zhuǎn)變現(xiàn)象... （來源：電子百科頻道）
電化學(xué)金屬化機(jī)制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
相比于有源結(jié)構(gòu)單元，由于具有最小的單元面積4F2，無源交叉陣列結(jié)構(gòu)被認(rèn)為是存儲器最經(jīng)濟(jì)的集成方式。在交叉陣列結(jié)構(gòu)中，通過相互交叉的字線和位線構(gòu)成的上下電極來實(shí)現(xiàn)存儲單元的選擇。無源交叉陣列結(jié)構(gòu)的RRAM制備工藝簡單，能夠有效地提高器件良率，降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面... （來源：電子百科頻道）
無源陣列有源結(jié)構(gòu)交叉陣列 2016-6-15 10:51
什么是憶阻器？ 憶阻器 憶阻器的英文 Memristor 來自「Memory（記憶）」和「Resistor（電阻）」兩個(gè)字的合并，從這兩個(gè)字可以大致推敲出它的功用來。最早提出憶阻器概念的人，是華裔的科學(xué)家蔡少棠，當(dāng)時(shí)任教于美國的柏克萊大學(xué)。時(shí)間是 1971 年，在研究電荷、電流、電壓和磁通量之間的關(guān)系時(shí)，蔡教... （來源：電子百科頻道）
憶阻器存儲器 2011-10-13 16:44
7月26日訊,Micron公司推出首個(gè)128Mb 突發(fā)CellularRAM器件MT45W8MW16BGX-706WT,它是當(dāng)今市場上可用的一個(gè)128Mb突發(fā)模式假靜態(tài)RAM(PSRAM).它采用Micron的革命性6F2 陣列結(jié)構(gòu)技術(shù)生產(chǎn)的另一種存儲器結(jié)構(gòu). Micron的128Mb突發(fā)CellularRAM器件目標(biāo)應(yīng)用在移動(dòng)手持設(shè)備,能增加其性能.用來生產(chǎn)這種器件的單元結(jié)... （來源：新品頻道）
存儲器 2004-8-9 15:33
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存儲器 2004-8-9 15:33
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