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48 條關于“CMOS”的信息，用時:0.001 sec.
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DS1265:8Mb非易失性(NV)SRAM, 1,048,576x8b配置,每個NV別SRAM自備有鋰離子能源和控制電路,在沒有外部電源的條件下數據保存大于10年,沒有電源時的數據保護是自動的,有無限次寫入周期,低功耗CMOS工作,讀寫存取時間70ns,當電源第一次接通時鋰離子能源能自動斷開以保持電能,工作溫度-40度到85度C,可用在各種...
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2007-09-27
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24xx1025:1024Kb(128Kx8b)串行EEPROM,采用低功耗CMOS技術,工作電壓.8V到5.5V,5.5V時的最大寫電流為5mA,最大讀電流為500uA,待機電流為100nA,兩線串行接口總線和I2C兼容,級聯到多達4個器件,自調整的擦除/寫入周期,128B頁寫入模式,寫入周期最大為5ms,整個陣列采用硬件寫保護,輸出斜率控制以消除地線反彈, ...
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2007-09-27
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LTC2242-12:12位250MSPS高IF取樣ADC,提供1.2GHz模擬輸入帶寬和最低功耗,工作電壓2.5V,功耗僅為740mW/585mW/455mW,取樣速率有250MSPS,210MSPS和170MSPS,12位和10位分辨率,IF取樣高達500MHz以上, 240MHz輸入時的SNR為65.1dB,SFDR為74dB,可選擇輸入1Vpp或2Vpp, LVDS/CMOS和分路CMOS輸出,可選擇時鐘占空比穩...
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2007-09-27
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ATC18RHA:耐輻射550萬ASIC門電路, 采用0.18um 六層金屬CMOS工藝制造,具有成套的標準邏輯和I/O單元庫,總劑量能高達300Krads,鎖死效應閾值大于70MeV/cm2/mg,包括了空間應用所有的專用功能和所需的緩沖器,如高速655Mbps LVDS發送器和接收器,PCI緩沖器,SEU硬化DFF和不發熱的緩沖器,內核的工作電壓1.8V,兩個...
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2007-09-26
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APA1000:100萬門ProASICPLUS閃存FPGA,采用0.22um 4 LM基于LM的CMOS工藝,單片解決方案,不需要配置器件,容量為100萬系統門,兩端SRAM為198Kb,712個用戶I/O,具有3.3V 32位PCI,高達50MHz,有兩個集成的PLL,外接系統性能高達150MHz,有業界最有效率的安全鑰匙(FlashLock.),低阻抗閃存開關,小型效率可配置的邏輯...
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2007-09-26
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AFS090-1500:高性能可重新編程FPGA,采用先進的130nm 7層金屬基于閃存的CMOS工藝,工作電壓3.3V,350MHz系統性能,66MHz 64位PCI,采用FlashLock對FPGA內容進行安全保密,閃存容量從256KB到1MB,數據寬度有8位/16位或32位,讀模式的存取時間為10ns,集成了8/10/12位分辨率的ADC,取樣頻率高達600KSPS,內部有2.56V...
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2007-09-26
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APA075-1000:ProASICPLUS 閃存系列FPGA,商用的系統門從75K到1M門,雙端口SRAM從27Kb到198Kb,用戶I/O從66個到712個,軍用的系統門從300K到1M門,雙端口SRAM從72Kb到198Kb,用戶I/O從158個到712個,可編程的閃存采用0.22um 4LM基于閃存的CMOS工藝,高達50MHz的3.3V 32位PCI,有兩個PLL,外部系統性能可高達150MHz...
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2007-09-26
中電網官方微博
