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GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

效率超97.5%！由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代電源方案，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)... （來源：新品頻道）

納微半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源 2024-11-12 10:09

住宅和商用空調(diào)及熱泵通過采用碳化硅器件，從容應(yīng)對(duì)盛夏炎熱

簡介碳化硅可在極其嚴(yán)苛的環(huán)境中提供前所未有的高效率、更高耐用性和卓越性能，從而徹底變革熱泵和空調(diào)行業(yè)。隨著全球氣溫不斷升高，人們需要制定更嚴(yán)格的能效規(guī)范。使用碳化硅解決方案，可只需對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行最小限度的改造，或者也可進(jìn)行全新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，即可滿足這些規(guī)范的要求。本文將介紹碳化硅分... （來源：技術(shù)文章頻道）

Wolfspeed 碳化硅器件 2024-10-16 10:36

電動(dòng)汽車充電類型和常見拓?fù)?/a>

隨著全球電氣化和脫碳趨勢的持續(xù)發(fā)展，電動(dòng)汽車（EV）的需求預(yù)計(jì)也將以10%的復(fù)合年增長率（CAGR）增長。到2025年底，預(yù)計(jì)將有近5000萬輛電動(dòng)汽車上路，這將迫切需要更多的充電樁和更快的電動(dòng)汽車充電速度。本文將向您介紹電動(dòng)汽車充電的類型和常見拓?fù)?，以及Wolfspeed提供的相關(guān)解決方案。如需深入了解... （來源：技術(shù)文章頻道）

電動(dòng)汽車充電拓?fù)?/a> 2024-9-3 10:42

常見三相PFC結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)分析，一文get√

為了滿足應(yīng)用的要求，為PFC選擇的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一個(gè)重要考慮因素，它們將決定整體的解決方案和性能。此外，并非所有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都可以滿足所有要求，就像并非所有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都支持三電平開關(guān)或雙向性。之前我們介紹過三相功率因數(shù)校正系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)和設(shè)計(jì)三相PFC時(shí)的注意事項(xiàng)，本文將介紹一些常見的三相拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并... （來源：技術(shù)文章頻道）

整流器三相拓?fù)?/a> 安森美 2024-1-4 10:25

EV 無變壓器快速充電解決方案

在插電式電動(dòng)汽車 (PEV) 系統(tǒng)中，充電器可分為三個(gè)級(jí)別：AC Level 1 (<1.92 kW)、AC Level 2 (<19.2 kW) 和 DC Level 3 (>19.2 kW)。1由于其體積和重量，不建議在高功率 3 級(jí)系統(tǒng)中使用車載充電器。本文將為功率高達(dá) 22 kW 的非車載非隔離式直流快速充電器提出兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該充電器的典型模... （來源：技術(shù)文章頻道）

EV 無變壓器車載充電器 2022-12-16 10:48

如何使用廉價(jià)的三相監(jiān)控繼電器來保護(hù)昂貴的機(jī)器

作者：Art Pini在加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)、水處理、材料處理、機(jī)床、船舶和航空應(yīng)用中常見的商業(yè)和工業(yè)機(jī)器大多數(shù)都是由三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)的。這些可靠的設(shè)備可能會(huì)遭到一系列的故障條件損壞，如果不迅速解決，可能導(dǎo)致故障或至少縮短運(yùn)行壽命，從而導(dǎo)致大量停機(jī)時(shí)間和維修費(fèi)用。相位監(jiān)控繼電器可用于... （來源：技術(shù)文章頻道）

監(jiān)控繼電器三相電機(jī) 2022-7-8 11:26

安世推出采用LFPAK56封裝的0．57mΩ產(chǎn)品，籍此擴(kuò)展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 mΩ的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不... （來源：新品頻道）

安世半導(dǎo)體LFPAK56封裝 RDS(on) MOSFET 2020-2-20 10:34

CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅（ SiC ）智能功率模塊

高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個(gè)三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊（IPM）原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項(xiàng)目的支持下開發(fā)而成，通過減小重量和尺寸，該模塊有助于提高功率轉(zhuǎn)換器密度，從而支持多電飛機(jī)... （來源：新品頻道）

CISSOIDThales碳化硅智能功率模塊More－Electrical Aircraft 2016-4-18 11:25

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