電離輻射如x射線和γ射線已被廣泛研究和應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像、射線無損檢測、科學(xué)研究等各個領(lǐng)域。因此,用高靈敏度和低成本的材料和設(shè)備來檢測這種高能輻射是非常重要的。鹵化物鈣鈦礦與商業(yè)硅(Si)和非晶硒(a-Se)相比,具有光吸收系數(shù)大、電阻率大、漏電流小、遷移率高、合成和加工簡單等優(yōu)點(diǎn),成為輻射探測... (來源:技術(shù)文章頻道)
Keithley 鈣鈦礦體系 粒子射線探測 2024-11-7 10:19
LED是基于電致發(fā)光原理的固體半導(dǎo)體光源,具有色彩豐富、體積小巧、高亮度、壽命長、工作電壓低、使用安全、響應(yīng)速度快、0~100%可調(diào)光輸出、耐沖擊防震動、無紫外線和紅外線輻射等許多優(yōu)點(diǎn)。因此應(yīng)用范圍在逐漸的擴(kuò)大,具有良好的應(yīng)用前景。 單顆封裝的大功率高亮度LED的造價高,并且主要是點(diǎn)光源,因... (來源:技術(shù)文章頻道)
LED燈半導(dǎo)體光源驅(qū)動器 2019-9-26 16:15
針對基于傳統(tǒng)FPGA中SRAM架構(gòu)的揮發(fā)性缺點(diǎn),如果將SRAM變?yōu)榉菗]發(fā)性的SRAM,即可以擁有SRAM連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入的優(yōu)點(diǎn),又可以確保斷電后不丟失數(shù)據(jù),保證數(shù)據(jù)的安全。目前已有關(guān)于采用NVSRAM編程的FPGA的報道,如基于鐵電存儲器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發(fā)存儲器等優(yōu)點(diǎn)。... (來源:電子百科頻道)
FPGA技術(shù)RRAM存儲單元鐵電存儲器 2016-10-13 13:54
作為新型非揮發(fā)性存儲器中的一員,RRAM要能夠與現(xiàn)在主流的浮柵flash競爭,除了要將存儲性能做到和flash相當(dāng)之外。RRAM必須利用高集成密度的優(yōu)勢來降低成本,從而獲取市場份額。 一般認(rèn)為,RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中,使... (來源:電子百科頻道)
存儲器 2016-10-12 13:52
RRAM的三維集成結(jié)構(gòu)體系主要有兩種:一種是多層堆疊交叉陣列結(jié)構(gòu),即把二維交叉陣列結(jié)構(gòu)重復(fù)制備,堆積多層形成,如圖(a)所示;另一種方法是垂直交叉陣列結(jié)構(gòu),把傳統(tǒng)的水平交叉陣列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)90°,并在水平方向重復(fù)延伸形成垂直結(jié)構(gòu)三維陣列,如圖(b)所示。多層堆疊結(jié)構(gòu)是一種可以從二維平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移... (來源:電子百科頻道)
三維集成結(jié)構(gòu) 2016-8-5 09:55
相比于有源結(jié)構(gòu)單元,由于具有最小的單元面積4F2,無源交叉陣列結(jié)構(gòu)被認(rèn)為是存儲器最經(jīng)濟(jì)的集成方式。在交叉陣列結(jié)構(gòu)中,通過相互交叉的字線和位線構(gòu)成的上下電極來實(shí)現(xiàn)存儲單元的選擇。無源交叉陣列結(jié)構(gòu)的RRAM制備工藝簡單,能夠有效地提高器件良率,降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面... (來源:電子百科頻道)
無源陣列有源結(jié)構(gòu)交叉陣列 2016-6-15 10:51