<strike id="oqws4"></strike>
與泛林一同探索先進節點上線邊緣粗糙度控制的重要性 作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合團隊成員Yu De Chen介紹由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導致更高的金屬線... （來源：技術文章頻道）
線邊緣粗糙度(LER)先進節點芯片 2023-6-12 14:49
一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節點的新型全柵場效應晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET... （來源：技術文章頻道）
GAAFET柵極晶體管 2021-2-22 10:51
<rt id="wuusw"></rt>
搜索到2條【先進節點芯片】相關的全部。
搜索到2條【先進節點芯片】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
