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臺(tái)積電在2025年北美技術(shù)研討會(huì)上透露,該公司有望在今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)N2(2nm 級(jí))芯片,這是其首個(gè)依賴環(huán)柵(GAA)納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。 這一新節(jié)點(diǎn)將助力眾多明年上市的產(chǎn)品,包括AMD面向數(shù)據(jù)中心的下一代EPYC“Venice” CPU,以及各種面向客戶端的處理器,例如蘋果2025年面... (來源:新聞?lì)l道)
臺(tái)積電2nm芯片GAA 2025-4-25 11:40
作者:Cathy Chen 在全球半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭日益激烈的背景下,制程工藝的突破成為各大廠商爭奪市場(chǎng)份額的關(guān)鍵。作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),英特爾(Intel)在先進(jìn)制程領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局始終是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。近日,英特爾(Intel)宣布其最新的18A制程技術(shù)已準(zhǔn)備好用于客戶項(xiàng)目,并計(jì)劃于2025年上半年正式... (來源:新聞?lì)l道)
Intel 18A 2025-2-25 13:59
作者: 付斌算力時(shí)代,芯片制程作為快速提升芯片算力的利器,正在被追捧,芯片代工領(lǐng)域三雄也在競(jìng)逐2nm(或Intel 18A/Intel 20A)的高地。在這條賽道上,英特爾一直走得非常迅速。在2021年7月就提出“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,即通過在(當(dāng)時(shí)的)未來四年內(nèi)推進(jìn)Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和I... (來源:新聞?lì)l道)
制程 代工 英特爾 Intel 18A芯片 2024-8-7 13:00
圖源:H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續(xù)以相對(duì)低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達(dá)到理論、實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)極限,降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術(shù)和晶圓廠制造規(guī)程緊密相連。在代工行業(yè),采用先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來明顯的成本競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。2020年... (來源:技術(shù)文章頻道)
GAA芯片技術(shù)CMOS工藝 2022-11-28 10:25
在與臺(tái)積電的競(jìng)爭之路上,三星可謂頻繁出招。除了3納米導(dǎo)入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構(gòu),已成功量產(chǎn),照三星半導(dǎo)體藍(lán)圖分析,2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米,更先進(jìn)1.4納米預(yù)定2027年量產(chǎn)。韓國媒體The Elec報(bào)導(dǎo),三星計(jì)劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星... (來源:新聞?lì)l道)
三星 2納米制程 2022-10-20 14:00
作者:劉松,美國計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸,GAA(環(huán)繞柵極)是GAA FET,那么,什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)?數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面... (來源:技術(shù)文章頻道)
GAAFETMOSFET 2022-8-22 15:15
據(jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道,美國商務(wù)部周五發(fā)布一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)定,對(duì)設(shè)計(jì)GAAFET(全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)集成電路所必須的ECAD軟件;金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料;燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施新的出口管制。 據(jù)悉,GAAFET晶體管技術(shù)是相對(duì)于FinFET晶體管更先進(jìn)的技術(shù),F(xiàn)in... (來源:新聞?lì)l道)
EDA 2022-8-15 15:11
昨日晚間,中芯國際發(fā)布二季度財(cái)報(bào),2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元,同比增長 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元,同比增長 62.9%。 今日上午,中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會(huì)議上表示,“我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn),每月 1.5 萬片,客戶多樣化,不同的產(chǎn)品... (來源:新聞?lì)l道)
中芯國際FinFET 2021-8-6 16:09
三星電子和臺(tái)積電目前都計(jì)劃開展 3nm 制程工藝研發(fā)。據(jù)外媒 TomsHardware 消息,三星在 IEEE 國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造細(xì)節(jié)。 GAAFET 晶體管(閘極全環(huán)場(chǎng)效晶體管)從構(gòu)造上有兩種形態(tài),是目前 FinFET 的升級(jí)版。三星表示傳統(tǒng)的... (來源:新聞?lì)l道)
三星 3nm MBCFET 2021-3-15 10:20
一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝,包括更先進(jìn)的高遷移率版本,但是將這些技術(shù)投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺(tái)積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節(jié)點(diǎn)的新型全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAA FET)過渡奠定基礎(chǔ),這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET... (來源:技術(shù)文章頻道)
GAAFET柵極晶體管 2021-2-22 10:51
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