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臺積電在2025年北美技術研討會上透露，該公司有望在今年下半年開始大規模生產N2（2nm 級）芯片，這是其首個依賴環柵（GAA）納米片晶體管的生產技術。 這一新節點將助力眾多明年上市的產品，包括AMD面向數據中心的下一代EPYC“Venice” CPU，以及各種面向客戶端的處理器，例如蘋果2025年面... （來源：新聞頻道）
臺積電2nm芯片GAA 2025-4-25 11:40
作者：Cathy Chen 在全球半導體行業競爭日益激烈的背景下，制程工藝的突破成為各大廠商爭奪市場份額的關鍵。作為半導體行業的領軍企業，英特爾（Intel）在先進制程領域的戰略布局始終是業界關注的焦點。近日，英特爾（Intel）宣布其最新的18A制程技術已準備好用于客戶項目，并計劃于2025年上半年正式... （來源：新聞頻道）
Intel 18A 2025-2-25 13:59
作者: 付斌算力時代，芯片制程作為快速提升芯片算力的利器，正在被追捧，芯片代工領域三雄也在競逐2nm（或Intel 18A/Intel 20A）的高地。在這條賽道上，英特爾一直走得非常迅速。在2021年7月就提出“四年五個制程節點”計劃，即通過在（當時的）未來四年內推進Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和I... （來源：新聞頻道）
制程 代工 英特爾 Intel 18A芯片 2024-8-7 13:00
圖源：H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經濟極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術和晶圓廠制造規程緊密相連。在代工行業，采用先進的工藝節點更能帶來明顯的成本競爭優勢。2020年... （來源：技術文章頻道）
GAA芯片技術CMOS工藝 2022-11-28 10:25
在與臺積電的競爭之路上，三星可謂頻繁出招。除了3納米導入全新GAAFET全環繞柵極電晶體架構，已成功量產，照三星半導體藍圖分析，2025年大規模量產2納米，更先進1.4納米預定2027年量產。韓國媒體The Elec報導，三星計劃使用背面供電網絡(BSPDN)技術用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星... （來源：新聞頻道）
三星 2納米制程 2022-10-20 14:00
作者：劉松，美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環繞柵極場效應晶體管）？數字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發展到7nm、3nm、2nm，這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面... （來源：技術文章頻道）
GAAFETMOSFET 2022-8-22 15:15
據財聯社報道，美國商務部周五發布一項臨時最終規定，對設計GAAFET（全柵場效應晶體管）結構集成電路所必須的ECAD軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料；燃氣渦輪發動機使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項技術實施新的出口管制。 據悉，GAAFET晶體管技術是相對于FinFET晶體管更先進的技術，Fin... （來源：新聞頻道）
EDA 2022-8-15 15:11
昨日晚間，中芯國際發布二季度財報，2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元，同比增長 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元，同比增長 62.9%。 今日上午，中芯國際聯合首席執行官趙海軍在二季度電話會議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經達產，每月 1.5 萬片，客戶多樣化，不同的產品... （來源：新聞頻道）
中芯國際FinFET 2021-8-6 16:09
三星電子和臺積電目前都計劃開展 3nm 制程工藝研發。據外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造細節。 GAAFET 晶體管（閘極全環場效晶體管）從構造上有兩種形態，是目前 FinFET 的升級版。三星表示傳統的... （來源：新聞頻道）
三星 3nm MBCFET 2021-3-15 10:20
一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節點的新型全柵場效應晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET... （來源：技術文章頻道）
GAAFET柵極晶體管 2021-2-22 10:51
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