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重塑半導(dǎo)體格局的號(hào)角！Intel 18A工藝節(jié)點(diǎn)準(zhǔn)備就緒，2025年投產(chǎn)

作者：Cathy Chen 在全球半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，制程工藝的突破成為各大廠商爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額的關(guān)鍵。作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，英特爾（Intel）在先進(jìn)制程領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局始終是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。近日，英特爾（Intel）宣布其最新的18A制程技術(shù)已準(zhǔn)備好用于客戶項(xiàng)目，并計(jì)劃于2025年上半年正式...
Intel 18A 2025-02-25

英特爾“四年五制程節(jié)點(diǎn)”即將按時(shí)到站：Intel 18A芯片現(xiàn)已上電運(yùn)行

作者: 付斌算力時(shí)代，芯片制程作為快速提升芯片算力的利器，正在被追捧，芯片代工領(lǐng)域三雄也在競(jìng)逐2nm（或Intel 18A/Intel 20A）的高地。在這條賽道上，英特爾一直走得非常迅速。在2021年7月就提出“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，即通過在（當(dāng)時(shí)的）未來(lái)四年內(nèi)推進(jìn)Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和I...
制程代工英特爾Intel 18A芯片 2024-08-07

性能提高44%，三星計(jì)劃2納米制程加入背后供電技術(shù)

在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)之路上，三星可謂頻繁出招。除了3納米導(dǎo)入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構(gòu)，已成功量產(chǎn)，照三星半導(dǎo)體藍(lán)圖分析，2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米，更先進(jìn)1.4納米預(yù)定2027年量產(chǎn)。韓國(guó)媒體The Elec報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星...
三星2納米制程 2022-10-20

GAAFET，是什么技術(shù)？

作者：劉松，美國(guó)計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國(guó)大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）？數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面...
GAAFETMOSFET 2022-08-22

美國(guó)對(duì)“芯片之母”下手！EDA軟件如何影響整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)？

據(jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道，美國(guó)商務(wù)部周五發(fā)布一項(xiàng)臨時(shí)最終規(guī)定，對(duì)設(shè)計(jì)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路所必須的ECAD軟件；金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料；燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)使用的壓力增益燃燒(PGC)等四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施新的出口管制。據(jù)悉，GAAFET晶體管技術(shù)是相對(duì)于FinFET晶體管更先進(jìn)的技術(shù)，F(xiàn)in...
EDA 2022-08-15

中芯國(guó)際：FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月 1.5 萬(wàn)片

昨日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布二季度財(cái)報(bào)，2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元，同比增長(zhǎng) 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元，同比增長(zhǎng) 62.9%。今日上午，中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會(huì)議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月 1.5 萬(wàn)片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品...
FinFET中芯國(guó)際 2021-08-06

三星演示 3nm MBCFET 芯片：采用納米片結(jié)構(gòu)制造晶體管

三星電子和臺(tái)積電目前都計(jì)劃開展 3nm 制程工藝研發(fā)。據(jù)外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造細(xì)節(jié)。 GAAFET 晶體管（閘極全環(huán)場(chǎng)效晶體管）從構(gòu)造上有兩種形態(tài)，是目前 FinFET 的升級(jí)版。三星表示傳統(tǒng)的...
三星3nm MBCFET 2021-03-15

5nm芯片集體“翻車”：先進(jìn)制程的尷尬

從2020年下半年開始，各家手機(jī)芯片廠商就開始了激烈的5nm芯片角逐，蘋果、華為、高通、三星相繼推出旗艦級(jí)5nm移動(dòng)處理器，并宣稱無(wú)論是在性能上還是在功耗上都有著優(yōu)秀的表現(xiàn)。不過從這幾款5nm芯片的實(shí)際表現(xiàn)來(lái)看，一些用戶并不買賬，認(rèn)為5nm手機(jī)芯片表現(xiàn)并沒有達(dá)到預(yù)期，5nm芯片似乎遭遇了一場(chǎng)集體“...
5nm 2021-01-22

5nm 芯片集體 “遇窘”，先進(jìn)制程的尷尬

從 2020 年下半年開始，各家手機(jī)芯片廠商就開始了激烈的 5nm 芯片角逐，蘋果、華為、高通、三星相繼推出旗艦級(jí) 5nm 移動(dòng)處理器，并宣稱無(wú)論是在性能上還是在功耗上都有著優(yōu)秀的表現(xiàn)。不過從這幾款 5nm 芯片的實(shí)際表現(xiàn)來(lái)看，一些用戶并不買賬，認(rèn)為 5nm 手機(jī)芯片表現(xiàn)并沒有達(dá)到預(yù)期，5nm 芯片似乎遭遇...
5nm 2021-01-20

臺(tái)積電2021年資本支出將達(dá)200億美元，設(shè)備廠將受益

全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電2020年交出亮麗成績(jī)單，預(yù)期全年美元營(yíng)收年成長(zhǎng)率逾三成并創(chuàng)下歷史新高。2021年雖然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地緣政治及貿(mào)易戰(zhàn)等外在環(huán)境變數(shù)，但晶圓代工訂單強(qiáng)勁，第二季前產(chǎn)能利用率維持滿載。設(shè)備業(yè)者及市場(chǎng)法人看好臺(tái)積電2021年3nm產(chǎn)能建設(shè)及2nm技術(shù)研發(fā)加速進(jìn)行，全年資本支...
臺(tái)積電 2021-01-05

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