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作者:ROHM半導(dǎo)體(ROHM Semiconductor)應(yīng)用營銷經(jīng)理 Imane Fouaide和應(yīng)用工程高級經(jīng)理 Christian Felgemacher 引言 要實現(xiàn)零碳社會的目標,交通工具的電動化至關(guān)重要。更輕、更高效的電子元器件在這一進程中發(fā)揮著重要作用。車載充電器(OBC)便是其中一例。緊湊型傳遞模塑功率模塊如何滿足當前... (來源:技術(shù)文章頻道)
車載充電器OBCSiC 2025-8-29 09:21
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢Σ粩嗵岣吣茉蠢眯什⒏倪M逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC,可以進一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率,降低工業(yè)... (來源:新聞頻道)
羅姆節(jié)能逆變器 2024-5-20 16:38
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢Σ粩嗵岣吣茉蠢眯什⒏倪M逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC,可以進一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率,降低工業(yè)設(shè)... (來源:技術(shù)文章頻道)
羅姆 半導(dǎo)體功率元器件 模擬IC 2024-5-17 11:24
致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1681和NCP4390芯片以及SiC MOSFET的3KW高密度電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的3KW高密度電源方案的展示板圖 當前,無論是汽車電動化轉(zhuǎn)型還是光伏、儲能等新興市場的快速發(fā)展都對... (來源:技術(shù)文章頻道)
大聯(lián)大友尚集團onsemi3KW高密度電源方案 2024-1-16 10:08
電源適配器的發(fā)展趨勢是高頻高密度及小型化,為了滿足散熱的要求,高效率是最重要的指標之一,所以對于數(shù)百瓦的電源方案圖騰柱PFC及LLC架構(gòu)是目前最好的選擇。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的電流模式LLC控制器所做的48V5A參考設(shè)計(圖1),在230Vac和48V輸出條件下,四點平均能效達到... (來源:技術(shù)文章頻道)
電源適配器 圖騰柱PFC電路 2023-9-19 16:00
更大容量電池需具備相同或更快充電時間的趨勢正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓, USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范,使得最大的輸出達到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計USB PD適配器和充電器時,要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標準,并考慮小型化設(shè)計以配合移動便攜式設(shè)備等輕薄短... (來源:技術(shù)文章頻道)
240W USB PD3.1 EPR適配器 高頻準諧振(QR)控制器 2023-6-13 09:55
在線直播將助工程師及時掌握電源設(shè)計的最新進展領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),將主辦一系列面向工程師的電源在線直播,以提高他們的電源設(shè)計敏銳性,從而提高能效和系統(tǒng)性能。碳化硅(以下簡稱“SiC”)對于提高電動汽車(以下簡稱“EV”)、EV充電、能源基礎(chǔ)設(shè)... (來源:新聞頻道)
安森美 電源在線直播 SiC 2022-10-20 11:00
圖騰柱功率因數(shù)校正電路一直停留在想法階段,人們不斷尋找它的有效實施技術(shù)。現(xiàn)在,人們發(fā)現(xiàn),SiC FET是能讓該拓撲發(fā)揮最大優(yōu)勢的理想開關(guān)。 博客互聯(lián)網(wǎng)不知道誰首先發(fā)明了“無橋圖騰柱功率因數(shù)校正級”這個術(shù)語,但是它肯定是在一瞬間的奇思妙想和靈感下發(fā)明和命名的。在交流/直流電源中,該電路會... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC FET 2022-2-16 09:32
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS... (來源:新品頻道)
Nexperia 2021-4-27 13:24
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