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隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺，全球對可再生能源寄予厚望，對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術（節能的關鍵）提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節能性能和效率。通過在適合的應用中使用功率元器件和模擬IC，可以進一步提高逆變器的功率轉換效率，降低工業... （來源：新聞頻道）
羅姆節能逆變器 2024-5-20 16:38
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺，全球對可再生能源寄予厚望，對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術（節能的關鍵）提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節能性能和效率。通過在適合的應用中使用功率元器件和模擬IC，可以進一步提高逆變器的功率轉換效率，降低工業設... （來源：技術文章頻道）
羅姆 半導體功率元器件 模擬IC 2024-5-17 11:24
隨著硅材料的負載量逐漸接近極限，以硅為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。人們遂將目光投向以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬帶隙半導體材料。其中，SiC作為目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料最受重視，被業內公認為最具發展前景的“一種未來的材料”，預計在今后5~10年將會取得快速發... （來源：新聞頻道）
羅姆碳化硅（SiC） 2019-7-23 10:29
至今半導體產業發展歷經了三個階段，分別是20世紀50年代誕生的以硅（Si）為代表的第一代半導體材料，及以80年代誕生的砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料，和如今以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶為代表的第三代半導體材料，且愈來愈被受到高度的重視。以碳化硅（SiC）為例，憑借其禁帶寬度... （來源：新聞頻道）
羅姆SiC功率元器件市場 碳化硅（SiC） SiC分立器件 2019-7-9 15:52
用于功率轉換的半導體功率元器件，由于對所有設備的節能化貢獻巨大，其未來的技術發展動向受到業界廣泛關注。 ROHM針對這種節能化要求日益高漲的歷史潮流，致力將在使分立半導體、IC的開發與制造過程中積累起來的技術得到進一步發展的功率元器件產品的陣容壯大。其中，在實現了具有硅半導體無法得到的... （來源：新品頻道）
ROHM碳化硅半導體SiC－MOSFET溝槽結構 2015-9-23 15:40
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