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Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212（12 x 12毫米）銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電阻(RDS(on))低至0.99mΩ，可實現460A以上的安全電流。產品包含頂部和底部散熱封裝組合，非常適合對散熱要求嚴格的48V汽車應用，包括車載充電器(OBC)、牽引... （來源：新品頻道）
NexperiaMOSFET 2025-9-19 13:23
作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 在許多應用中，防止過壓至關重要。本文將闡釋如何利用保護電路來消除過壓。 引言 例如，在配電系統中，高負載的快速斷開可能會導致過壓的產生。為保護連接到同一電源的其他負載，建議采取浪涌保護措施。圖1所示為一個保護電... （來源：技術文章頻道）
保護電路 2025-7-9 12:10
~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻，被全球知名云平臺企業認證為推薦器件~ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開發出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。 RY7P250BM為8&... （來源：新品頻道）
ROHM AI 服務器 電源熱插拔電路 MOSFET 2025-6-3 16:04
在 AI 算力爆發的時代，數據中心正經歷著前所未有的電力考驗。當單臺 AI 服務器功率突破 10kW，GPU 瞬時負載波動超過 200A 時，電源保護方案也要隨之升級。電子保險絲（eFuse）作為新一代保護器件，正憑借智能化、集成化優勢，成為服務器電源的 “智能保鏢”。日前，德州儀器系統經理游聲揚結... （來源：技術文章頻道）
數據中心電源eFuse 2025-4-16 11:14
XB系列HVIGBT模塊（3.3kV/1500A型） 三菱電機集團近日（2025年4月8日）宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導體，專為軌道交通車輛等大型工業設備設計。通過采用專有的二極管和IGBT元件，以及獨特的芯... （來源：新品頻道）
三菱電機HVIGBT模塊 2025-4-10 11:20
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并聯組合降低了成本、實現高效率無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解決方案使 CGD 利用其 ... （來源：新聞頻道）
CGDGAN電動汽車逆變器 2025-3-11 14:30
實現業界超低導通電阻和超寬SOA范圍 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。 新產品共3款機型，包括非常適用于企業級高性能服務器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插... （來源：新品頻道）
ROHMAI服務器MOSFETRS7E200BG 2025-3-7 10:11
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。 因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數功率轉換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 限制電流 2025-3-4 10:56
簡介 本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用... （來源：技術文章頻道）
碳化硅技術Wolfspeed 2025-2-19 14:00
基于 SiC 器件的電機驅動 工業電機驅動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業驅動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調）以及伺服驅動器。據估計，這些通常由交流電源驅動的電動機占工業用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅動器的效率。即使該參數的微小改進也能在節省能源和成本方面產生... （來源：技術文章頻道）
SiC 三相電機驅動開發 2025-1-20 10:58
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