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作者：Qorvo應用工程師Mike ZhuSiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗，能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互... （來源：技術文章頻道）
SiC FET設計 PCB 2023-9-22 11:35
作者：Peter Losee 在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiCMOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關，這兩種器件類型在某些方面都有局限性，特別是在柵極驅動要求和“第三象限”操作方面。SiC FET是替代選擇但是，還有另一種選擇。Uni... （來源：技術文章頻道）
寬帶隙半導體開關 Si MOSFET 2022-5-23 10:21
作者：安森美戰略營銷總監Yong Ang電網提供的電能是交流電，但我們使用的大多數設備都需要直流電，這意味著進行這種轉換的交流/直流電源是能源網上最常見的負載之一。隨著世界關注能效以保護環境并管理運營成本，這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很... （來源：技術文章頻道）
微控制器 AC－DC功率轉換 圖騰 PFC電路 2022-4-21 10:48
摘要功率轉換是幾乎所有電子器件中的常見元素，有多種拓撲結構。新興的應用有其獨特的要求，這就促使工程師們開發能提供具有最佳性能和效率平衡的交流轉直流和直流轉直流轉換器。然而，這并非總是一個簡單任務。選擇正確的拓撲結構僅僅是挑戰的開始，還必須仔細選擇功率組件，而隨著新半導體技術進入市... （來源：技術文章頻道）
功率轉換碳化硅新半導體技術 2021-11-29 11:16
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