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2025年9月11日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出兩款基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率晶體管和INS2002FQ氮化鎵半橋驅動IC的48V四相2kW降壓電源方案。 圖示1-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的48V四相2kW降壓... （來源：解決方案頻道）
大聯大詮鼎英諾賽科降壓電源 2025-9-11 13:21
英諾賽科 (Innoscience) 雙向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性價比，可支持新型雙向電力電子系統。它取代了傳統的背靠背 Si MOSFET，顯著降低了功率損耗，提高了開關速度，并縮小了電源系統的尺寸，降低了 BOM 成本。 當前，我們正在擴展組件生態系統，通過100V 低邊驅動 IC INS1011SD&... （來源：新品頻道）
英諾賽科驅動IC 2025-8-11 09:22
作者：安森美 碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作，從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... （來源：技術文章頻道）
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新的參考設計“REF67004”，該設計可通過單個微控制器控制被廣泛應用于消費電子電源和工業設備電源中的兩種轉換器——電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準諧振反激式*2轉換器。通過將ROHM的優勢&mdash... （來源：新品頻道）
ROHMPFC反激控制電源設計 2025-7-22 16:05
火力全開，直“充”巔峰 圖片來源：鎵未來微信公眾號 還在為激烈的團戰突然電量不足而懊惱？還在忍受傳統筆記本電源適配器的笨重束縛？鎵未來攜手聯想打造的拯救者 245W 氮化鎵充電器橫空出世，讓你徹底擺脫線纜的沉重牽絆，火力全開，直“充”巔峰！ 這款明星產品之... （來源：新聞頻道）
氮化鎵充電器 2025-7-11 11:13
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... （來源：技術文章頻道）
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
當桌面充電邁入“高效與美學并存”的時代，鎵未來以尖端氮化鎵技術再次引領革新。近日，我們攜手全球消費電子巨頭 Anker，共同打造兩款高顏值、便攜型桌面充電產品：Anker 130W 4C2A 六口桌面充 Mini、Anker 100W 3C1A 桌面充 Mix 以鎵未來 G2N70R150TA-H 功率器件為核心動力，... （來源：新聞頻道）
鎵未來氮化鎵 2025-6-25 14:31
鎵未來助力聯想筆電最小體積65W充電器 全球第一大PC廠商聯想Lenovo，近期發布Lenovo Air X AI元啟版，Lenovo YOGA 360 14 Aura Al元啟翻轉輕薄本、Lenovo YOGA 360 14 AI元啟版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版等多款筆記本電腦，均INBOX標配65W 49cc氮化鎵快充充電器，這是迄今為止聯想筆記本電... （來源：新聞頻道）
聯想65W充電器鎵未來 2025-6-16 11:30
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的... （來源：技術文章頻道）
SiC 2025-6-13 10:28
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
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