作者:Aaron Shapiro,產品應用工程師問題 我按照數(shù)據(jù)手冊在原理圖中使用了10 Ω柵極電阻,但在啟動期間仍有振鈴。我的熱插拔控制器電路為何會振蕩? 回答 使用高端N溝道MOSFET開關的熱插拔器件在啟動和限流期間可能會發(fā)生振蕩。雖然這不是新問題,但數(shù)據(jù)手冊通常缺少解決方案的詳細信息。如果不了解... (來源:技術文章頻道)
熱插拔控制器 寄生振蕩 2024-12-16 11:25
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器,浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器,在啟動和電壓/電流調節(jié)期間可能會發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊通常會簡要提到這個問題,并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而,如果不清楚振蕩的根本原因,設計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻,使電路容易受到振... (來源:技術文章頻道)
寄生振蕩 熱插拔控制器 PowerPath 2024-12-10 11:01
本應用筆記介紹了功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說明。介紹了功率MOSFET的破壞機制和對策及其應用和電機驅動應用。電氣特性定義及使用說明 功率 MOSFET 額定值導通電阻R_DS(on)與耐壓V_DSS的關系圖2表示耐壓VDSS=20~100V額定元件與導通電阻R_DS(on)之間的關系。選擇元件耐壓時,應根據(jù)電... (來源:技術文章頻道)
功率 MOSFET 電機驅動 2023-10-9 10:13
第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會... (來源:技術文章頻道)
功率MOS管二極管 2023-5-15 11:14
在早期的開關電源當中,組成取樣的工作主要由三極管和二極管來完成。但是由于它們在參數(shù)上差別比較大,會為調試造成一定的阻礙。現(xiàn)如今,隨著技術的進步,開關電源逐漸放棄了老舊的三極管和二極管,轉而采用三端精密穩(wěn)壓源來進行取樣和誤差檢測。而三端精密穩(wěn)壓源當中的經典,就非TL431莫屬了。在三端精... (來源:技術文章頻道)
開關電源三極管 2023-3-20 10:20
MOS管損壞 電涌電壓 2022-8-22 09:26
一、用指針式萬用表對場效應管進行判別(1)用測電阻法判別結型場效應管的電極根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩... (來源:技術文章頻道)
VMOS場效應測電阻法 2022-8-1 09:23
IEEE新推出的以太網供電(PoE)標準,也被稱為PoE 2或802.3bt(以前稱為PoE++),從推出至今剛滿3年,但其應用勢頭比過去更為強勁。雖然因為受到2019年新冠肺炎疫情(COVID-19)的影響,遠程工作的數(shù)量增加,但每年部署的以太網供電端口數(shù)量也在持續(xù)增加。雇主利用空下來的桌椅,升級IT基礎設施,打造面向未... (來源:技術文章頻道)
以太網供電(PoE) 交換芯片 PSE設計 2022-7-8 16:09
目前,許多大學及科研單位都進行了開關電源EMI(Electromagnetic Interference)的研究,他們中有些從EMI產生的機理出發(fā),有些從EMI 產生的影響出發(fā),都提出了許多實用有價值的方案。這里分析與比較了幾種有效的方案,并為開關電源EMI 的抑制措施提出新的參考建議。開關電源電磁干擾的產生機理開關電源產... (來源:技術文章頻道)
開關電源電磁干擾 功率開關管 2022-7-8 09:32
作者:創(chuàng)新點1、引言隨著電子技術和計算機技術的迅猛發(fā)展,國內開展先進飛機配電系統(tǒng)研究的技術手段已比國外八十年代好得多,對固態(tài)功控系統(tǒng)研究,就是基于目前飛機配電系統(tǒng)的發(fā)展應運而生的,目前市場上的均為單開關結構,最近多開關的 SSPC 組已經處于研發(fā)之中,SSPC 組共享大規(guī)模控制芯片,可進一步... (來源:技術文章頻道)
CPLD控制 直流固態(tài)功控系統(tǒng) 2022-5-23 09:13