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連續介質模型主要根據體系中的宏觀現象(如載流子擴散、漂移等)表征器件狀態，而不必涉及體系中具體每一個粒子的微觀運動行為。這類模型采用的方法與經典半導體物理體系下pn結、晶體管等求解電流電壓特性的方法類似，一般是通過聯立載流子連續性方程、泊松方程等對阻變存儲器件阻變過程進行描述，... （來源：電子百科頻道）
連續介質模型 2017-8-30 14:17
化學價變化機制(valence change mechanism，VCM)與ECM機制類似，都與離子的電化學反應和電遷移過程相關。但ECM機制是基于易氧化金屬離子(Cu2+、Ag+或Ni2+)的電化學反應，而VCM機制是基于氧化物自身存在的與氧相關的缺陷(如氧離子或氧空位)的電化學反應引起的氧化物材料中非氧元素化學價... （來源：電子百科頻道）
電化學反應導電細絲 2016-10-12 13:45
電化學金屬化(electrochemical metallization)機制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構成。該類RRAM的電阻轉變現象... （來源：電子百科頻道）
電化學金屬化機制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
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