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全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發出采用溝槽結構的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。 另外,此次開發的SiC... (來源:新品頻道)
ROHM溝槽結構SiC-MOSFET導通電阻降低50% 2015-6-24 14:13
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