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1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源轉(zhuǎn)型基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品... （來源：新品頻道）
Nexperia SiC MOSFET工業(yè)電源開關(guān) 2023-11-30 10:00
ST推出全新的ISO8200B，一款讓控制器尺寸更小、具有更高的可靠性和能效的創(chuàng)新的電隔離型功率開關(guān)，用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備電子市場(chǎng)。 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備以及通用的可編程控制器(Programmable Controller，PLC)應(yīng)用都將得益于該款新器件所帶來的更高的空間節(jié)省率、用戶安全性、抗噪性、可靠性和能效。 ... （來源：新品頻道）
ST電隔離型功率開關(guān)ISO8200B 2013-12-17 16:49
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