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意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器,為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能,提高目標應用的能效和魯棒性。 STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產品為電源轉換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇,可以提高消費電子和工業應用的能效、功率密度和魯棒性。 ... (來源:新品頻道)
意法半導體半橋驅動器STDRIVEG610STDRIVEG611 2025-5-29 11:03
柵極驅動器需要精確的電壓,以實現最高的效率和系統可靠性。RECOM 新推出的一系列隔離式電源模塊采用36 引腳 SSOP SMD 微型封裝,尺寸僅 12.83 x 7.5 x 3.55 mm,是一種兼具成本與高性能優勢的解決方案。 這些隔離模塊具有多個輸入范圍,涵蓋 8.5 V 至 27 VDC 的 12 V、15 V 和 24 VDC 標稱輸入電壓... (來源:新品頻道)
Recom 柵極驅動應用 DC/DC 轉換器 2024-11-6 09:45
在電機應用中,必須采用逆變器或轉換器進行電源轉換,采用高隔離DC/DC轉換器,將有助于提升電機運作的穩定性與安全性,這對高功率、高速電機系統尤為重要。本文將為您介紹IGBT/MOSFET/SiC/GaN柵極驅動DC-DC轉換器的相關技術,以及由Murata(村田制作所)所推出的一系列高隔離DC/DC轉換器的功能特性。隔... (來源:技術文章頻道)
隔離DC/DC轉換器 柵極驅動電源 電機 MGJ1 2024-1-18 11:26
電源是電子設備的基礎,其中的柵極驅動器是穩定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產生高電流驅動輸入。本文將為您介紹柵極驅動電源與DC-DC轉換器的技術概念,以及由Murata推出的隔離柵極驅動電源產品... (來源:技術文章頻道)
柵極驅動器 DC-DC轉換器 2023-6-6 14:12
翻譯自powerelectronicsnews 電動汽車充電系統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用,與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而,SiC 更快的開關速... (來源:技術文章頻道)
EV 充電系統隔離式DC/DC轉換器 2022-12-2 09:17
在新能源電動車發展趨勢的推動下,對高功率充電的需求日益殷切,而支持高功率密度、高性能和高開關頻率的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET),成為市場上熱門的產品選擇。另一方面,目前市面上已經有眾多利用電池操作的工具與設備,為了提升電池的運作安全性、效率,并提升電池的壽命,必須采用高效的MOSFE... (來源:技術文章頻道)
GaN FET 氮化鎵 電池隔離 2022-10-28 14:08
功率氮化鎵技術 功率轉換 電池隔離 2022-10-21 10:48
onsemi公司的NCD(V)57252/3/5/6是大電流雙路隔離IGBT/MOSFET柵極驅動器,輸入到每個輸出的電流隔離為2.5或5kVrms,而兩個輸出通路間具有功能隔離.器件采用3.3V到20V偏壓和輸入邊的信號電平,輸出邊則高達32V偏壓.器件采用互補輸入,提供不同的引腳以用于禁用和死區控制,以方便系統設計.驅動可采用寬體SOIC-... (來源:解決方案頻道)
電源管理柵極驅動器IGBT/MOSFET onsemi NCD57252 2021-11-8 14:31
作者:ADI公司 Peter Delos 和 Jarrett Liner問:能否在200 ns內開啟或關閉RF源?答:在脈沖雷達應用中,從發射到接收操作的過渡期間需要快速開啟/關閉高功率放大器(HPA)。典型的轉換時間目標可能小于1 μs。傳統上,這是通過漏極控制來實現的。漏極控制需要在28 V至50 V的電壓下切換大... (來源:技術文章頻道)
柵極驅動電路 高功率放大器 2021-6-2 16:36
IR推出25V FastIRFET創新功率MOSFET系列,適用于先進的電信和網絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。 全新FastIRFET系列配備IR新一代硅技術,采用符合行業標準的PQFN封裝,為分立式DC-DC轉換器提供基準功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 m... (來源:新品頻道)
IR25V FastIRFET創新功率MOSFET系列 2013-9-25 14:23
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