當地時間11月10日消息，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）今宣布，它已與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術簽訂了技術許可協議。這一戰略舉措將加速格芯在數據中心、工業和汽車電源應用中的下一代氮化鎵產品，并為全球客戶群提供美國的氮化鎵產能。 格羅方德表示，隨著傳統硅CMOS技術達到其... （來源：新聞頻道）
格羅方德臺積電氮化鎵 2025-11-11 15:12
安森美基于全新GaN-on-GaN技術，其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿 核心摘要 隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代&n... （來源：新聞頻道）
安森美垂直氮化鎵GaN半導體人工智能AI 2025-10-31 13:13
近日，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺（簡稱"國創中心"）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破，成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展，為相關產業鏈上市公司帶來新的... （來源：新聞頻道）
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
—— 該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發800VDC供電架構；新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN™氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶... （來源：新聞頻道）
數據中心PowiGaN技術SiC 2025-10-15 13:07
800 VDC機架電源架構為人工智能數據中心帶來突破性進展，可實現更高效率、更高功率密度，同時降低能耗需求并減少二氧化碳排放。如同電動汽車行業從400V向800V的升級，機架電壓從48V提升至800V可使電流降低16倍，從而大幅減少I²R損耗以及銅材的需求。英諾賽科正與NVIDIA合作，攜手支持800 VDC電源架... （來源：新聞頻道）
英諾賽科電源架構VDC電源 2025-10-14 16:20
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）與納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）共同設立的“數字能源聯合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累，與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產... （來源：新聞頻道）
兆易創新納微半導體能源電源管理 2025-10-13 14:11
當地時間10月6日，全球領先的納米電子和數字技術研究和創新中心——比利時微電子研究中心（imec）宣布，歡迎 AIXTRON、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys 和 Veeco 成為其 300 毫米氮化鎵 （GaN） 低壓和高壓電力電子應用開放式創新計劃軌道的首批合作伙伴。 △AIXTRON（愛... （來源：新聞頻道）
imecGaN功率器件 2025-10-9 11:05
機器人技術正以驚人速度發展，從配送包裹的無人機到與人協作的人形機器人（Humanoids）和協作機器人（Cobots），各類形態的機器人對電源、安全性和效率提出了差異化需求。瑞薩電子電源系統營銷高級經理堀井浩久（Hirohisa Horii）在 PowerUP 播客中指出，不同類型機器人的電源設計邏輯截然不同：電池供... （來源：技術文章頻道）
瑞薩電子機器人電源設計氮化鎵 2025-9-29 11:00
PowiGaN在輕載和滿載時均實現95%高效率，滿足關鍵的運行和安全功能需求 澳大利亞達爾文及美國加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設計套件。與此同時，37支學生隊伍已整裝待發，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰賽，穿越澳洲內... （來源：新聞頻道）
PIInnoSwitch3 2025-8-27 17:52
PowiGaN在輕載和滿載時均實現95%高效率，滿足關鍵的運行和安全功能需求 Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設計套件。與此同時，37支學生隊伍已整裝待發，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰賽，穿越澳洲內陸地區。 該套件型號為RDK-85SLR，采用了PI™公... （來源：新品頻道）
Power Integrations太陽能氮化鎵設計套件 2025-8-22 15:30
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