ST公司的MASTERGAN1是650V增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進(jìn)的功率系統(tǒng)級(jí)封裝,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅(qū)動(dòng)很容易由集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1對(duì)低和高驅(qū)動(dòng)部分具有UVLO保護(hù),以防止功率... （來(lái)源：解決方案頻道）
電源管理氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT)開關(guān)電源DC／DC轉(zhuǎn)換器 ST MASTERGAN1 2020-10-21 15:30
Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增強(qiáng)模式氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT).該器件通過在體二極管的零反向恢復(fù)電荷和非常小的線性輸入和輸出電容,克服了技術(shù)阻擋層如線性和功率損耗.CoolGaN™由于具有低/線性Coss,零Qrr和常開開關(guān),理想的D類音頻放大器提供0%失真和100%效率.D類放大器線... （來(lái)源：解決方案頻道）
D類放大器GaN HEMTInfineon IGT40R070D1 E8220 2020-9-15 14:42
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