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泰克公司今日正式發(fā)布 MP5000 系列模塊化精密測試系統(tǒng)。作為一款變革性解決方案，該系統(tǒng)將引領自動化測試領域的未來發(fā)展方向。其以模塊化理念為核心，工程師可在緊湊的 1U 機架式主機內，靈活組合精密源測量單元（SMU）與可編程電源單元（PSU），為現(xiàn)代驗證與生產(chǎn)流程提供所需的適應性與擴展性。 ... （來源：新品頻道）
泰克MP5000 精密測試 2025-9-18 09:39
在當今快速發(fā)展的電力電子技術領域，功率半導體器件的性能優(yōu)化至關重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應用及泰克科技在這一領域的先進解決方案，并介紹泰克專家高遠新書的相關內容。 雙脈沖測試的目標參數(shù)... （來源：技術文章頻道）
泰克功率半導體雙脈沖測試 2025-6-18 09:49
在半導體ATE領域深耕多年，派格測控始終致力于為客戶提供高精度、高可靠性的芯片測試解決方案，不斷的提煉行業(yè)客戶的需求，優(yōu)化產(chǎn)品參數(shù)指標，經(jīng)過數(shù)年潛心鉆研，今天，我們迎來了一次重要的升級——正式發(fā)布自研模塊化儀器儀表！ 為應對日趨嚴峻的國際關系和日趨激烈的行業(yè)競爭，派格... （來源：新品頻道）
派格測控自研模塊化儀器儀表 2025-6-11 14:52
在半導體領域，隨著技術的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術在CMOS可靠性測試中的應用，以及它如何助力這些新興技術的發(fā)展。引言對于研究... （來源：技術文章頻道）
CMOS 脈沖技術AI5G 2025-4-9 11:02
隨著清潔能源需求增長，太陽能的潛力日益受到關注，太陽能電池通過吸收光子釋放電子，將陽光直接轉化為電能。電氣測試廣泛用于研發(fā)和生產(chǎn)中，以表征其性能，包括直流/脈沖電壓測量、交流電壓測試等，分析關鍵參數(shù)如輸出電流、轉換效率和最大功率輸出，常結合不同光強和溫度條件進行。 4200A-SCS參數(shù)... （來源：技術文章頻道）
泰克光伏材料太陽能電池 2025-2-27 10:45
無論是汽車的電氣化還是生成式人工智能，都離不開電力技術。泰克全球中端及基礎示波器產(chǎn)品線總經(jīng)理 Daryl Ellis表示，泰克正通過全面的電力測試設備及方案，滿足不同的測試需求。從高帶寬、高電流的寬禁帶半導體測量，到低帶寬、低電流的電池驅動的設備休眠功耗測試，泰克都可以通過可擴展的測試解決方... （來源：新聞頻道）
泰克 探頭 電源 電力電子測試 2024-11-18 11:14
• 通過高壓開關矩陣實現(xiàn)一次性測試，進而提高生產(chǎn)效率• 該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設備的安全性；同時確保符合相關法規(guī)要求是德科技（NYSE: KEYS ）近日推出全新的 4881HV 高壓晶圓測試系統(tǒng)，進一步擴展了其半導體測試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數(shù)測... （來源：新品頻道）
是德科技 4881HV 高壓晶圓測試系統(tǒng) 2024-10-12 09:30
• 通過高壓開關矩陣實現(xiàn)一次性測試，進而提高生產(chǎn)效率• 該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設備的安全性；同時確保符合相關法規(guī)要求是德科技近日推出全新的 4881HV 高壓晶圓測試系統(tǒng)，進一步擴展了其半導體測試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數(shù)測試，從而顯著提升... （來源：新聞頻道）
是德科技功率半導體3kV高壓晶圓測試系統(tǒng) 2024-10-11 09:05
2024概倫電子用戶大會在上海張江科學會堂成功舉辦。本次大會以“工藝協(xié)同 優(yōu)化設計”為主題，涵蓋主題演講、圓桌論壇及三場技術分論壇，圍繞通過DTCO（設計工藝協(xié)同優(yōu)化），加快工藝和芯片迭代設計進程，打造應用驅動的EDA全流程解決方案。專家學者、概倫用戶分享了對行業(yè)的深度見解和豐富的應用案例，... （來源：新聞頻道）
概倫電子 EDA集成電路行業(yè) 2024-9-27 10:49
隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關位移，例如閾值電壓 (VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生... （來源：技術文章頻道）
測試 MOSFET衰退半導體 2024-9-19 13:12
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