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隨著技術的飛速發展，商業、工業及汽車等領域對耐高溫集成電路（IC）的需求持續攀升。高溫環境會嚴重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創新技術手段攻克相關技術難題。本文致力于探討高溫對集成電路的影響，介紹高結溫帶來的挑戰，并提供適用于高功率的設計技術以應對這些挑戰... （來源：技術文章頻道）
IC設計高溫 2025-6-18 10:06
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業界先進水平。 新產品采用ROHM自有結構，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另... （來源：新品頻道）
ROHMMOSFET 2025-5-16 11:04
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電 荷存儲效應；另外MOSFET沒有二... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 2025-4-28 09:38
同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支持大... （來源：新品頻道）
ROHMATXGaN HEMT 2025-2-14 13:05
本文作者：Bob Card，安森美營銷經理硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。與硅基... （來源：技術文章頻道）
柵極驅動器 SiC MOSFET 2025-1-3 14:02
隨著制造業的自動化程度不斷提高，以及消費者在家中安裝這些自動化系統，機器人市場將繼續增長。公司紛紛開始在其工廠和倉庫中實現制造系統的自動化，并適應未來機器人與人類進行更多互動的情形。 制造機器人的設計工程師了解，有數百種不同類型的機器人系統。如圖 1 所示，機器人種類繁多，從功率... （來源：技術文章頻道）
協作機器人 類人機器人 系統效率 安全性 機器人 2024-12-26 14:02
作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監校對：宋清亮 英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球... （來源：技術文章頻道）
GaN技術可再生能源 2024-12-23 13:01
作者：安森美高級總監，Aditya Jian在加密貨幣和人工智能/機器學習（AI/ML）等新興應用的驅動下，數據中心的能耗巨大，并將快速增長以滿足用戶需求。根據國際能源署（IEA）的最新報告，2022 年數據中心的耗電量將達到 460 TWh（太瓦時），約占全球總用電量的 2%。在美國，擁有全球三分之一的數據中心，... （來源：技術文章頻道）
人工智能 數據中心 2024-12-23 10:42
1700V InnoSwitch™3-AQ反激式開關符合IEC 60664-1絕緣標準深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天為其面向汽車應用的InnoSwitch™3-AQ反激式開關IC推出寬爬電封裝選項。5.1mm的寬漏源極引腳爬電距離無需噴涂三防漆，使IC符合800V... （來源：新品頻道）
Power Integrations反激式開關IC 2024-12-20 09:55
本文作者：安森美(onsemi)高級總監Aditya Jain在加密貨幣和人工智能/機器學習（AI/ML）等新興應用的驅動下，數據中心的能耗巨大，并將快速增長以滿足用戶需求。根據國際能源署（IEA）的最新報告，2022 年數據中心的耗電量將達到 460 TWh（太瓦時），約占全球總用電量的 2%。在美國，擁有全球三分之一的... （來源：技術文章頻道）
人工智能 數據中心 安森美 2024-11-14 10:20
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