根據(jù)Synergy Research Group的報告顯示，截至2024年底，超大規(guī)模運營商運營的數(shù)據(jù)中心數(shù)量達到1136個，較2019年第四季度的不到600個大幅增加，意味著全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心數(shù)量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外，未來幾年規(guī)劃中的數(shù)據(jù)中心項目數(shù)量自2022年3月以來增長了60%，從314個增加到2025年3月的... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體數(shù)據(jù)中心電源 2025-4-18 14:05
為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電... （來源：技術文章頻道）
碳化硅技術電源可再生能源MOSFET 2025-4-2 09:50
本文要點：• 小信號 RF 放大器的用途。• 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。• 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號。基本的放大器電路由雙極結型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運行。晶體管... （來源：技術文章頻道）
RF放大器 Cadence 2024-8-29 10:30
NTC 代表“負溫度系數(shù)”。NTC 熱敏電阻是具有負溫度系數(shù)的電阻器，這意味著電阻會隨著溫度升高而減小。它們主要用作電阻溫度傳感器和限流裝置。溫度靈敏度系數(shù)約為硅溫度傳感器（硅晶體管）的五倍，約為電阻溫度檢測器 (RTD) 的十倍。NTC 傳感器的典型使用范圍為 55 至 +200 °C。NTC 電阻表現(xiàn)出的電阻和... （來源：技術文章頻道）
NTC熱敏電阻 熱敏電阻 2024-8-14 10:36
這是一張定格歷史的照片，英特爾106名員工在當時的山景城工廠外的合影，攝于1969年。站在最前排的兩位，是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾，諾伊斯直視鏡頭，摩爾眺望遠方。日后帶領英特爾登頂全球最大半導體公司的安迪·格魯夫在第二排最右邊，雙手插兜。這三位風云人物個性迥異，諾伊斯是魅... （來源：新聞頻道）
英特爾AI時代 2024-7-19 12:58
作者：Pete Bartolik在為新應用考慮板外 AC/DC 電源時，盡管基于氮化鎵 (GaN) 的替代產(chǎn)品具有更出色的電氣性能和能效，但設計人員通常還是會選擇硅 (Si) 基部件。這可能是由于長期以來在成本效益方面的假設，也可能是由于長期以來的默認選擇。然而，設計人員可能忽略了氮化鎵基替代產(chǎn)品對冷卻的要求降低... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 散熱 2024-7-1 09:40
作者：Pete Bartolik氮化鎵 (GaN) 半導體在 20 世紀 90 年代初首次作為高亮度藍色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應用，隨后成為藍光光盤播放器的核心技術。自此以后雖已取得長足進步，但在將近二十年后，該技術才因其高能效特性而在場效應晶體管 (FET) 上實現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導體行業(yè)... （來源：技術文章頻道）
ADI 氮化鎵功率半導體 2024-5-20 09:55
英特爾公司首席執(zhí)行官帕特•基辛格曾用兩個關鍵詞概括英特爾的“核心”和“靈魂”：一個是“創(chuàng)新”，一個是“執(zhí)行力”。在2023年，面對日新月異的數(shù)字化進程帶來的新需求和新挑戰(zhàn)，英特爾繼續(xù)在技術領域矢志創(chuàng)新，取得了多項突破，并以強大的執(zhí)行力穩(wěn)步按照既定路線圖發(fā)布新產(chǎn)品，支持“芯經(jīng)濟”的... （來源：新聞頻道）
英特爾 技術創(chuàng)新 2023-12-29 15:25
作者: 付斌眾所周知，英特爾的數(shù)字芯片引領著行業(yè)發(fā)展，但其實，這家巨頭背后也非常重視處理器的供電能力。要知道，處理器能否發(fā)揮真正的性能，不止在于器件本身，而在于整個系統(tǒng)。英特爾很早以前，就看好氮化鎵（GaN）在功率器件中的應用。一方面，是投資相關的企業(yè)，比如英特爾曾在2014年9月領投 GaN... （來源：新聞頻道）
英特爾GaN新技術 2023-12-18 10:06
英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會議）上展示了多項技術突破，為其未來的制程路線圖提供了豐富的創(chuàng)新技術儲備，充分說明了摩爾定律仍在不斷演進。具體而言，英特爾研究人員在大會上展示了結合背面供電和直接背面觸點（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS晶體管，分享了近期背面供電研發(fā)... （來源：新聞頻道）
3D堆疊 英特爾 2023-12-11 11:28
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