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富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。基于富士通半導體的GaN功率器件，用... （來源：新品頻道）
富士通半導體耐壓150VGaN功率器件MB51T008A 2013-7-23 17:11
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