作者: 付斌SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）作為第三代半導體材料兩大代表，在市場應用中愈發具備自己的特色。許多公司為了布局更全的產線，發揮二者的專長，均采用“Si+SiC+GaN”的策略，打造三代半功率器件“雙料冠軍”。羅姆半導體（ROHM）作為功率器件的領先廠商，產品不僅涵蓋IGBT、SJ-MOSFET、SBD、... （來源：新聞頻道）
GaN 寬禁帶半導體 羅姆 2024-1-26 09:46
將GaN器件與控制IC相結合，助力電源應用進一步節能和小型化全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。 近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的... （來源：新聞頻道）
ROHM GaN器件超高速驅動控制 IC 技術 2023-3-7 15:20
搜索到2條【超高速驅動控制】相關的全部。
搜索到2條【超高速驅動控制】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
