作者: 付斌SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)作為第三代半導體材料兩大代表,在市場應用中愈發具備自己的特色。許多公司為了布局更全的產線,發揮二者的專長,均采用“Si+SiC+GaN”的策略,打造三代半功率器件“雙料冠軍”。羅姆半導體(ROHM)作為功率器件的領先廠商,產品不僅涵蓋IGBT、SJ-MOSFET、SBD、... (來源:新聞頻道)
GaN 寬禁帶半導體 羅姆 2024-1-26 09:46
將GaN器件與控制IC相結合,助力電源應用進一步節能和小型化全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)確立了一項超高速驅動控制IC技術,利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。 近年來,GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣泛采用,然而,如何提高控制IC(負責GaN器件的... (來源:新聞頻道)
ROHM GaN器件超高速驅動控制 IC 技術 2023-3-7 15:20