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在追求高效能、小體積的電機驅動應用領域，傳統硅基(Si) 功率器件已逐漸觸及性能天花板。全球領先的氮化鎵功率半導體廠商英諾賽科 (Innoscience)，推出了兩款高性能低壓電機驅動方案：INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案) ，為機器人、無人機、電動工具等低壓電機應用帶來革命性突破... （來源：新品頻道）
英諾賽科GaN電機驅動 2025-9-12 14:22
作者：安森美 在科技演進浪潮中，能源技術已逐漸成為現代產業發展的核心驅動力。從移動設備到云服務器，從電動車到智慧城市，科技產品日益強調效能、速度與可持續能源的平衡，而這一切的背后都需要更高效、更穩定的電源轉換技術。 隨著各種應用對能源效率與功率密度的要求不斷提高，傳... （來源：技術文章頻道）
iGaN適配器安森美 2025-8-22 12:09
Nexperia今日推出全新系列USB Type-C與USB供電(USB PD)控制器IC，支持消費電子領域18-140W的USB充電器設計。隨著此次新系列的推出，Nexperia成為能夠完整提供18-140W高效電源適配器所需各種器件的半導體制造商，為設計人員帶來一站式解決方案，有助于簡化供應鏈并加快產品開發與上市進程。 ... （來源：新品頻道）
USB NexperiaTypeC 2025-8-5 11:30
Nexperia今日推出全新系列USB Type-C與USB供電(USB PD)控制器IC，支持消費電子領域18-140W的USB充電器設計。隨著此次新系列的推出，Nexperia成為能夠完整提供18-140W高效電源適配器所需各種器件的半導體制造商，為設計人員帶來一站式解決方案，有助于簡化供應鏈并加快產品開發與上市進程。 NEX5... （來源：新品頻道）
NexperiaUSB 控制器 2025-8-1 11:24
基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
作者：安森美（onsemi） Prasad Paruchuri 工業設備正在向電動化轉型，亟需穩健、可靠、高效的電池充電方案。從電動工具到重型機械，其充電器必須能夠適應惡劣的環境和不同的電源(120-480 Vac)，并在設計上優先考慮小型化、輕量化和自然對流散熱。本文旨在為工程師提供設計此類關鍵系統的指導... （來源：技術文章頻道）
電池充電器PFC 2025-6-20 11:00
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性，成為行業關注的焦點。 目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... （來源：技術文章頻道）
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 ... （來源：新品頻道）
ROHMGaN器件隔離型柵極驅動器IC 2025-5-27 16:04
隨著新能源汽車行業向電氣化和智能化全面邁進，系統架構正從400V平臺向800V平臺升級，以提升充電速度、降低電流損耗并優化整車能效。作為整車低壓供電的核心單元，輔助電源的設計要求也顯著提高。新的輔助電源不僅需要適應更寬的高壓輸入范圍，還必須在體積、效率、熱管理及可靠性等多個維度實現系統級... （來源：新聞頻道）
PI碳化硅 2025-5-14 16:05
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