近日，從順義科創集團獲悉，入駐企業北京銘鎵半導體有限公司實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首批掌握第四代半導體4英寸氧化鎵單晶襯底生長技術公司之一。 銘鎵半導體工作人員在做相關試驗。 北京銘鎵半導體有限公司創始人、董事長陳政委向記者介紹，穩態氧化鎵晶體為單斜結構，存在（100）... （來源：新聞頻道）
銘鎵半導體4英寸氧化鎵晶圓襯底技術 2023-3-13 14:40
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