近日，從順義科創(chuàng)集團(tuán)獲悉，入駐企業(yè)北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內(nèi)首批掌握第四代半導(dǎo)體4英寸氧化鎵單晶襯底生長技術(shù)公司之一。 銘鎵半導(dǎo)體工作人員在做相關(guān)試驗(yàn)。 北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人、董事長陳政委向記者介紹，穩(wěn)態(tài)氧化鎵晶體為單斜結(jié)構(gòu)，存在（100）... （來源：新聞頻道）
銘鎵半導(dǎo)體4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù) 2023-3-13 14:40
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