全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應用場景 Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.... （來源：新品頻道）
Nexperia頂部散熱封裝技術碳化硅1200 V SiC MOSFET 2025-3-20 15:02
結合銅夾片封裝和寬禁帶半導體的優勢基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝... （來源：新品頻道）
Nexperia GaN FET器件 SMD封裝 2023-12-11 15:11
搜索到2條【頂部散熱封裝技術】相關的全部。
搜索到2條【頂部散熱封裝技術】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
