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在全球新能源汽車加速普及的今天，續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點，高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切，1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點。在這一趨勢下，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新... （來源：新品頻道）
聞泰科技SiC MOSFET 2025-5-14 09:27
在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發企業，近日宣布推出新一系列的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計，以滿足各行業對高功率密度和能效解決方案日益增長的需求。 新推出的SiC MOSFET模塊采用強大的平面技... （來源：新品頻道）
SemiQSiCMOSFET模塊電源系統 2025-4-21 09:15
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性，適用于高功率應用場景 Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.... （來源：新品頻道）
Nexperia頂部散熱封裝技術碳化硅1200 V SiC MOSFET 2025-3-20 15:02
基于 SiC 器件的電機驅動 工業電機驅動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業驅動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調）以及伺服驅動器。據估計，這些通常由交流電源驅動的電動機占工業用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅動器的效率。即使該參數的微小改進也能在節省能源和成本方面產生... （來源：技術文章頻道）
SiC 三相電機驅動開發 2025-1-20 10:58
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。 當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電... （來源：新品頻道）
東芝車載牽引逆變器1200 V SiC MOSFET 2024-11-13 10:40
作者：Jeff Shepard，文章來源：DigiKey得捷本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 SiC 的封裝和系統集成選項，并展示了設計人員該如何最好地應用它們來優化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅動器性... （來源：技術文章頻道）
SiC 柵極驅動器 能源基礎設施 2024-8-14 10:52
在更小、更簡單的系統中顯著降低損耗并提高效率作者：黃贊數據中心是數字世界的支柱，其中大量的服務器為互聯網、云計算和其他數據驅動型服務賦能。隨著對上述服務的需求增長，所消耗的能源體量也隨之增加。在美國，2020 年數據中心消耗了約 90 太瓦時 (億千瓦時，TWh) 的電力，約占美國總電力消耗的 1... （來源：技術文章頻道）
數據中心 SiC Wolfspeed 2024-3-26 10:40
交流充電樁適合在家中或工作場所為電動汽車充電，因為目前車載充電器的額定功率通常達到11千瓦，充滿電需要8~10小時。然而，對于假期等長途旅行，消費者希望在休息期間充電更快。直流電動汽車充電樁具有交流轉直流、隔離直流轉直流的特點，比交流充電樁具有更高的額定功率。使用分立器件的直流電動汽車... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 PFC SiC 器件 2024-1-4 09:30
合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。 圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進行平衡... （來源：技術文章頻道）
雙運放電流源SiC MOSFET 2023-12-28 10:45
CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，設計者需要了解器件的靜態和動態性能以及影響它們的關鍵參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。溫度對CoolSiC™ ... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET CoolSiC 2023-10-26 10:43
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