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Infineon公司的IPW60R080P7是CoolMOS™第七代平臺, 600V CoolMOSª P7高壓功率晶體管,采用超級結(SJ)原理和Infineon開拓的技術,組合了快速開關SJ MOSFET和極容易使用如非常低的激勵電路趨向,體二極管對抗硬交換的杰出魯棒性和極好的ESD能力.此外,極好的低開關和導通損耗使得開關應用變得更有效... （來源：解決方案頻道）
電源管理電池充電器IPW60R080P7 2020-2-6 11:08
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS™ 晶體管技術不斷優化，這為取得成功奠定了堅實基礎。 在晶體管問世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS™ 晶... （來源：新品頻道）
英飛凌650V MOSFET 2011-2-15 09:50
英飛凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術平臺，C6器件針對易用性進行了優化，而E6器件則旨在提供最高效率。 CoolM... （來源：新品頻道）
Infineon功率晶體管 2010-7-5 10:42
HVV0405-175 高電壓垂直場效應電晶體（HVVFET）適用于 UHF 頻帶的雷達應用。工作頻帶覆蓋 420 至 470 MHz，可為系統設計師提供符合要求的 175-W RF 功率電晶體。 該晶體管在性能方面勝過同具競爭性的雙級和 LDMOS 器件。當脈沖寬度為 300 µs，脈沖占空比為 10%，VDD 為 50 以及 IDQ 為 50mA... （來源：新品頻道）
HVVi雷達高壓功率晶體管HVV0405-175 2008-12-26 15:19
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![[原創] Infineon IPW60R080P7 48 V 2 kW鉛酸(鋰)電池充電器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202002/sm_20200206110445.jpg)
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