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HVV0405-175 高電壓垂直場效應電晶體(HVVFET)適用于 UHF 頻帶的雷達應用。工作頻帶覆蓋 420 至 470 MHz,可為系統設計師提供符合要求的 175-W RF 功率電晶體。 該晶體管在性能方面勝過同具競爭性的雙級和 LDMOS 器件。當脈沖寬度為 300 µs,脈沖占空比為 10%,VDD 為 50 以及 IDQ 為 50mA... (來源:新品頻道)
HVVi雷達高壓功率晶體管HVV0405-175 2008-12-26 15:19
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