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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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英飛凌推出CoolSiC 肖特基二極管2000 V的TO－247－2封裝，在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對(duì)這一市場(chǎng)趨勢(shì)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這...
英飛凌CoolSiC 肖特基二極管2000 V G5系列 2025-03-17

英飛凌推出采用Q－DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC™ MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列...
英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V... 2025-02-20

英飛凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車(chē)功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓...
英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V... 2024-03-14

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提...
英飛凌碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2 2024-03-12

英飛凌推出第二代CoolSiC MOSFET，為電力電子領(lǐng)域設(shè)定新標(biāo)準(zhǔn)

在當(dāng)今高度依賴電力的社會(huì)中，功率損耗已成為電力電子領(lǐng)域不可忽視的關(guān)鍵因素。為滿足行業(yè)對(duì)更高效、更可靠的電力處理方案的需求，英飛凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)。這一技術(shù)為AC/DC、DC/DC、DC/AC電源方案中的功率傳輸效率設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)，引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域的發(fā)...
英飛凌CoolSiC MOSFET 2024-03-11

英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統(tǒng)和燃料電池提供CoolSiC功率器件

當(dāng)前的能源危機(jī)充分表明，全球迫切需要尋找替代能源來(lái)構(gòu)建氣候友好型的能源供應(yīng)能力。近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司（Bloom Energy）選中，用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器（Bloom’...
英飛凌布魯姆能源公司電解系統(tǒng)燃料電池CoolSiC功率器件 2022-10-26

具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

作者簡(jiǎn)介André Lenze與Paul Salmen博士，英飛凌科技股份公司（德國(guó)瓦爾施泰因）引言過(guò)去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長(zhǎng)期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。...
CoolSiC MOSFET M1H柵極開(kāi)關(guān) 2022-06-20

功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC MOSFET技術(shù)解析

功率轉(zhuǎn)換器中越來(lái)越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對(duì)尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速開(kāi)關(guān)的單極器件。因此，現(xiàn)在僅在低壓環(huán)境（<600 V）下才可能使用的解決方案現(xiàn)在也可以在更高的電壓下使用。結(jié)果是最高的效率，更高的開(kāi)關(guān)頻率，更...
碳化硅（SiC）晶體管功率轉(zhuǎn)換器CoolSiC MOSFET技術(shù) 2021-09-18

在雙向逆變器應(yīng)用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的優(yōu)勢(shì)

隨著業(yè)界不斷轉(zhuǎn)向可再生能源，人們?cè)絹?lái)越關(guān)注發(fā)電和儲(chǔ)能技術(shù)，目的是更充分利用風(fēng)能和太陽(yáng)能等間歇性的能源供應(yīng)。電池是常見(jiàn)的儲(chǔ)能解決方案，在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)技術(shù)進(jìn)步的不斷驅(qū)動(dòng)下，儲(chǔ)能成本正在下降。這為從家庭到公用事業(yè)的所有不同規(guī)模儲(chǔ)能應(yīng)用開(kāi)辟了道路。隨著能源供應(yīng)模式轉(zhuǎn)向可再生，傳統(tǒng)的礦物燃...
雙向逆變器CoolSiC TM MOSFET碳化硅 2021-09-17

英飛凌 CoolSiC技術(shù)助力光寶科技交換式電源供應(yīng)器效率倍增

數(shù)字化趨勢(shì)日益加速，使服務(wù)器設(shè)備的數(shù)量激增，電源需求也不斷上升。同時(shí)，在全球氣候變暖的效應(yīng)下，如何提升運(yùn)作的能源效率成為更加重要的課題。由北美 80 PLUS 計(jì)劃 (80 PLUS initiative) 于 2004 年推出的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)，可用于評(píng)估及認(rèn)證交換式電源供應(yīng)器(SMPS) 的效...
英飛凌CoolSiC 2020-09-29

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