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↓在全部中搜索到 17 條關于“NCP51820”的信息，用時:0.026 sec.

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分...
氮化鎵GaNPCB設計柵極驅動器 2023-02-23

何時及如何使用無橋圖騰柱功率因數校正

作者：Jeff Shepard高功率因數 (PF) 和高效率是服務器、網絡、5G電信、工業系統、電動汽車和其他一系列應用中所用 AC-DC 電源的關鍵要求。然而，電源設計者面臨的挑戰是如何同時滿足 IEC 61000-3-2 等標準的 PF 和電磁兼容性 (EMC) 要求，以及能源之星最新的 80 PLUS Titanium 效率標準。后者要求在 10...
無橋圖騰柱功率因數 2022-11-04

[原創]On Semi NCP51820＋NCP13992 300WGaN適配器解決方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅動器,設計以滿足驅動離線模式,半橋功率拓撲的增強模式晶體管,高電子遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),氮化鎵(GaN)功率開關的嚴格要求.NCP51820具有短和匹配的傳輸時延和先進的電平轉移技術,提供-3.5V到+650V共模電壓范圍,以用于高邊驅動和-3.5V到+3.5V共模電...
電源管理GaNAC／DC轉換器On SemiNCP51820NCP13992 2021-08-24

[原創]On Semi NCP51820氮化鎵GaN功率開關高速半橋驅動方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅動器,設計滿足驅動增強模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓撲的氮化鎵GaN功率開關嚴格要求. NCP51820提供先進的電平轉移技術,具有短匹配傳播延遲,高邊驅動時共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅動時共模電壓范圍...
電源管理GaN功率開關柵極驅動器On SemiNCP51820 2021-07-13

大聯大世平集團推出基于ON Semiconductor產品的小型工業電源供應器方案

2021年6月16日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美半導體（ON Semiconductor）NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver的小型工業電源供應器方案。圖示1-大聯大世平推出基于ON Semiconductor產品的小型工業電源供應器方案的展示板圖 ...
ON Semiconductor產品小型工業電源供應器 2021-06-16

GaN才是高能效、高頻電源設計的首選

GaN有許多性能優勢，包括遠高于硅的電子遷移率(3.4eV對比1.1eV)，這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注意的是，GaN的門極電荷(QG)較低，并且由于必須在每個開關周期內對其進行補充，因此GaN能夠以高達1 MHz的頻率工作，效率不會降低，而硅則難以達到100 kHz以上。此外，與硅不同，GaN沒...
GaN電壓電源設計 2020-03-23

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計

作者：安森美半導體策略營銷總監Yong Ang 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與...
氮化鎵電源設計寬禁帶技術 2020-03-16

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設計

作者：安森美半導體策略營銷總監Yong Ang在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。 GaN器件與硅器件...
氮化鎵(GaN)GaN電源開關 2020-01-20

GaN Systems和安森美共同發布半橋評估板

GaN Systems和安森美半導體宣布，采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半導體的NCP51820高速柵極驅動器，共同組成了一套高速半橋GaN系統評估板。該套件采用25mm x 25mm的布局，減少了元件數量。其特性包括1+ MHz工作頻率和200 V / ns CMTI額定值。基于GaN的電源系統的優勢包括功率損耗，重...
GaN Systems安森美半橋評估板 2019-11-19

安森美半導體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅動器在中國獲2019年度“Top 10電源產品獎”

行業認可首款用于 GaN功率開關的高性能、650 V高壓半橋門極驅動器推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，今日宣布其NCP51820高速門極驅動器獲21IC中國電子網選為2019年度 “Top 10電源產品獎”。該年度獎項是中國備受認同的確定10大最具開創性的設計及技術有顯著...
安森美半導體NCP51820高速門極驅動...“Top 10電源產品獎” 2019-09-11

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