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NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。 本設計文檔其余部分... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 GaN PCB設計 柵極驅動器 2023-2-23 14:25
作者：Jeff Shepard高功率因數 (PF) 和高效率是服務器、網絡、5G電信、工業系統、電動汽車和其他一系列應用中所用 AC-DC 電源的關鍵要求。然而，電源設計者面臨的挑戰是如何同時滿足 IEC 61000-3-2 等標準的 PF 和電磁兼容性 (EMC) 要求，以及能源之星最新的 80 PLUS Titanium 效率標準。后者要求在 10... （來源：技術文章頻道）
無橋圖騰柱 功率因數 2022-11-4 11:35
On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅動器,設計以滿足驅動離線模式,半橋功率拓撲的增強模式晶體管,高電子遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),氮化鎵(GaN)功率開關的嚴格要求.NCP51820具有短和匹配的傳輸時延和先進的電平轉移技術,提供-3.5V到+650V共模電壓范圍,以用于高邊驅動和-3.5V到+3.5V共模電... （來源：解決方案頻道）
電源管理GaNAC／DC轉換器 On SemiNCP51820NCP13992 2021-8-24 13:36
On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅動器,設計滿足驅動增強模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓撲的氮化鎵GaN功率開關嚴格要求. NCP51820提供先進的電平轉移技術,具有短匹配傳播延遲,高邊驅動時共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅動時共模電壓范圍... （來源：解決方案頻道）
電源管理 GaN功率開關柵極驅動器 On Semi NCP51820 2021-7-13 14:17
推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出業界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。 在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，... （來源：新品頻道）
安森美半導體離線電源NCP1680 CrM PFC控制器 2021-6-23 11:15
2021年6月16日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美半導體（ON Semiconductor）NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver的小型工業電源供應器方案。 圖示1-大聯大世平推出基于ON Semiconductor產品的小型工業電源供應器方案的展示板圖 ... （來源：技術文章頻道）
ON Semiconductor產品小型工業電源供應器 2021-6-16 13:42
GaN（氮化鎵）功率半導體供應商GaN Systems與安森美半導體（OnSemi）合作宣布推出全新100V高速半橋評估板（GS-EVB-HB-61008P-ON）。該產品專為現有和全新的PCB設計而開發，使電力電子設計人員能夠輕松評估GaN以應對不斷增長的48V市場應用，包括非隔離降壓轉換器，非隔離升壓轉換器，以及半橋和全橋轉換... （來源：新品頻道）
GaN Systems 安森美 GaN 2020-12-7 16:28
GaN有許多性能優勢，包括遠高于硅的電子遷移率(3.4eV對比1.1eV)，這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注意的是，GaN的門極電荷(QG)較低，并且由于必須在每個開關周期內對其進行補充，因此GaN能夠以高達1 MHz的頻率工作，效率不會降低，而硅則難以達到100 kHz以上。此外，與硅不同，GaN沒... （來源：技術文章頻道）
GaN電源設計電壓 2020-3-23 15:15
專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。此高速子板結合了GaN Systems的兩個650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導體的NCP51820柵極驅動器，可為現有或新的離線電源轉換設計提供高性價比半橋解決方案。... （來源：新品頻道）
貿澤電子SystemsGS－EVB－HB－66508B－ON1評估板 2020-3-16 16:10
作者：安森美半導體策略營銷總監Yong Ang 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。 對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵電源設計寬禁帶技術 2020-3-16 09:41
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