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↓在全部中搜索到 17 條關(guān)于“NCP51820”的信息，用時(shí):0.029 sec.

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分...
氮化鎵GaNPCB設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)器 2023-02-23

何時(shí)及如何使用無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正

作者：Jeff Shepard高功率因數(shù) (PF) 和高效率是服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)、5G電信、工業(yè)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車和其他一系列應(yīng)用中所用 AC-DC 電源的關(guān)鍵要求。然而，電源設(shè)計(jì)者面臨的挑戰(zhàn)是如何同時(shí)滿足 IEC 61000-3-2 等標(biāo)準(zhǔn)的 PF 和電磁兼容性 (EMC) 要求，以及能源之星最新的 80 PLUS Titanium 效率標(biāo)準(zhǔn)。后者要求在 10...
無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù) 2022-11-04

[原創(chuàng)]On Semi NCP51820＋NCP13992 300WGaN適配器解決方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)以滿足驅(qū)動(dòng)離線模式,半橋功率拓?fù)涞脑鰪?qiáng)模式晶體管,高電子遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),氮化鎵(GaN)功率開關(guān)的嚴(yán)格要求.NCP51820具有短和匹配的傳輸時(shí)延和先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),提供-3.5V到+650V共模電壓范圍,以用于高邊驅(qū)動(dòng)和-3.5V到+3.5V共模電...
電源管理GaNAC／DC轉(zhuǎn)換器On SemiNCP51820NCP13992 2021-08-24

[原創(chuàng)]On Semi NCP51820氮化鎵GaN功率開關(guān)高速半橋驅(qū)動(dòng)方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)滿足驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)嚴(yán)格要求. NCP51820提供先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),具有短匹配傳播延遲,高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅(qū)動(dòng)時(shí)共模電壓范圍...
電源管理GaN功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器On SemiNCP51820 2021-07-13

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案

2021年6月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案。圖示1-大聯(lián)大世平推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案的展示板圖 ...
ON Semiconductor產(chǎn)品小型工業(yè)電源供應(yīng)器 2021-06-16

GaN才是高能效、高頻電源設(shè)計(jì)的首選

GaN有許多性能優(yōu)勢(shì)，包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率(3.4eV對(duì)比1.1eV)，這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注意的是，GaN的門極電荷(QG)較低，并且由于必須在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)充，因此GaN能夠以高達(dá)1 MHz的頻率工作，效率不會(huì)降低，而硅則難以達(dá)到100 kHz以上。此外，與硅不同，GaN沒...
GaN電壓電源設(shè)計(jì) 2020-03-23

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

作者：安森美半導(dǎo)體策略營(yíng)銷總監(jiān)Yong Ang 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與...
氮化鎵電源設(shè)計(jì)寬禁帶技術(shù) 2020-03-16

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

作者：安森美半導(dǎo)體策略營(yíng)銷總監(jiān)Yong Ang在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。 GaN器件與硅器件...
氮化鎵(GaN)GaN電源開關(guān) 2020-01-20

GaN Systems和安森美共同發(fā)布半橋評(píng)估板

GaN Systems和安森美半導(dǎo)體宣布，采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速柵極驅(qū)動(dòng)器，共同組成了一套高速半橋GaN系統(tǒng)評(píng)估板。該套件采用25mm x 25mm的布局，減少了元件數(shù)量。其特性包括1+ MHz工作頻率和200 V / ns CMTI額定值。基于GaN的電源系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)包括功率損耗，重...
GaN Systems安森美半橋評(píng)估板 2019-11-19

安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅(qū)動(dòng)器在中國(guó)獲2019年度“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”

行業(yè)認(rèn)可首款用于 GaN功率開關(guān)的高性能、650 V高壓半橋門極驅(qū)動(dòng)器推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，今日宣布其NCP51820高速門極驅(qū)動(dòng)器獲21IC中國(guó)電子網(wǎng)選為2019年度 “Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”。該年度獎(jiǎng)項(xiàng)是中國(guó)備受認(rèn)同的確定10大最具開創(chuàng)性的設(shè)計(jì)及技術(shù)有顯著...
安森美半導(dǎo)體NCP51820高速門極驅(qū)動(dòng)...“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)” 2019-09-11

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