iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。 SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電... （來(lái)源：新品頻道）
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
DFN5*6封裝 極低導(dǎo)通內(nèi)阻,超強(qiáng)開(kāi)關(guān)性能實(shí)現(xiàn)更高功率密度日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體（AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS™ (MOS™)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方... （來(lái)源：新品頻道）
通信及工業(yè)電源150V MOSFET 2013-5-9 11:21
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較低開(kāi)關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的... （來(lái)源：新品頻道）
FairchildMOSFET器件FDMS86200 2010-7-22 11:21
IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 （Qg）。 與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。 這些新款... （來(lái)源：新品頻道）
IR HEXFET功率MOSFET 2009-8-18 15:23
7月31日訊，快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出十八種新型N溝MOSFET，它封裝在業(yè)界第一個(gè)無(wú)底封裝，結(jié)合了比TO-263(D2-PAK)好得多的熱性能和很低的導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn)。這種先進(jìn)的無(wú)底封裝有以下的優(yōu)點(diǎn)：1)由于降低了芯片溫度，可靠性和效率都更好，2)由于更低封裝熱阻，效率更高，3)每PCB面積有... （來(lái)源：新品頻道）
電源MOSFET 2002-8-19 11:56
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