2025年11月12日,第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇(IFWS&SSLCHINA2025)在廈門開幕。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、廈門大學(XMU)共同主辦,惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材... (來源:新聞頻道)
第三代半導體論壇 2025-11-18 09:50
作者:P.Lombardi, E.Poli 來源:意法半導體 摘要 伺服驅動應用市場對尺寸、功率密度和可靠性均提出嚴苛要求,這使得設計穩健解決方案充滿挑戰。意法半導體近期發布的EVLSERVO1參考設計以其緊湊結構和強大性能精準應對這一領域需求。通過系統級優化及采用STSPIN32G4等旗艦器件(該先進電機驅動... (來源:技術文章頻道)
STSPIN32G4伺服電機驅動器 2025-11-11 09:27
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品“AW2K21”,其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm,導通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.),達到業界先進水平。 新產品采用ROHM自有結構,不僅提高器件集成度,還降低單位芯片面積的導通電阻。另... (來源:新品頻道)
ROHMMOSFET 2025-5-16 11:04
在全球新能源汽車加速普及的今天,續航短、充電慢成為行業發展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統對1200V耐壓功率芯片的需求愈發迫切,1200V SiC功率器件成為行業競相攻堅的焦點。在這一趨勢下,聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業注入強勁新... (來源:新品頻道)
聞泰科技SiC MOSFET 2025-5-14 09:27
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于:首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動;其次MOSFET的開關速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因為沒有電 荷存儲效應;另外MOSFET沒有二... (來源:技術文章頻道)
MOSFET 2025-4-28 09:38
在全球數據中心加速向高效化、集約化轉型的背景下,高頻中大功率UPS(不間斷電源)市場需求持續攀升,對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴苛。 近日,英飛凌宣布與深圳科士達科技股份有限公司深化合作,通過提供英飛凌1200V CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC™二極管、650V CoolSiC&... (來源:新聞頻道)
英飛凌科士達全棧方案UPS 2025-4-10 13:21
隨著新能源電動汽車行業的蓬勃發展,其動力系統的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。該產品適用于充電樁、新能源光伏、智能電網、工業控制、軌道交通和變頻白電等行業。... (來源:新品頻道)
金升陽 QA-R3S 驅動電源 2025-4-10 10:38
隨著技術的進步,LED照明產品在發光效率、壽命、穩定性等方面的性能不斷提升,并能更好地滿足用戶對產品智能化、個性化的需求。同時在市場產業化和商業化維度來看,LED在工業照明、景觀照明、健康照明等細分市場不斷地拓展和延伸,未來發展的前景十分廣闊。 “厲害”的LED照明需要什么樣的... (來源:技術文章頻道)
電路設計 LED照明 東芝半導體 2025-4-8 11:11
全新X.PAK封裝融合卓越散熱性能、緊湊尺寸與便捷封裝特性,適用于高功率應用場景 Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色,采用創新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.... (來源:新品頻道)
Nexperia頂部散熱封裝技術碳化硅1200 V SiC MOSFET 2025-3-20 15:02
本文作者:Bob Card,安森美營銷經理硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位,這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車(EV)等。然而,市場對更小型化產品的需求,以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力,使得碳化硅(SiC)MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。與硅基... (來源:技術文章頻道)
柵極驅動器 SiC MOSFET 2025-1-3 14:02