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Transphorm宣布，該公司的第二款900 V GaN場效應晶體管(FET)現已投入生產。TP90H050WS的典型導通電阻為50毫歐，瞬態峰值額定值為1千伏，現已通過電子設備工程聯合委員會(JEDEC)認證。 開發和制造高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率半導體的先驅Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布，該公司的第二款900... （來源：新品頻道）
Transphorm 900 V GaN 2020-8-19 16:32
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