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基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
長期以來，寬禁帶行業一直圍繞兩種不同架構氮化鎵晶體管爭論高下——常閉耗盡型 （D-mode）和增強型（E-mode）氮化鎵。在設計電路時，人們傾向于使用增強型（E-mode）晶體管，但其實無論從性能、可靠性、多樣性、可制造性以及實際用途方面，常閉型（D-mode）都更優于前者。 D-mode G... （來源：新聞頻道）
氮化鎵晶體管2DEGSuperGaN 2024-6-26 17:08
加速寬禁帶產品供應并推出15款全新基于GaN的成功產品組合參考設計全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）宣布，已于2024年6月20日完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供... （來源：新聞頻道）
瑞薩 Transphorm 2024-6-21 10:38
300 W DC/DC電池充電器板展示了推進電動出行應用所需的氮化鎵技術的關鍵能力堅固耐用的氮化鎵功率半導體領域的全球領導者Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出一款用于兩輪和三輪電動汽車電池充電器的全新300 W DC/DC氮化鎵參考設計。該TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD設計采用TP65H150G4PS... （來源：新聞頻道）
Transphorm 雙向SuperGaN電源 2024-6-13 09:26
Transphorm常閉耗盡型（D-Mode）平臺帶來的更低損耗、更高性能，以及突破性的氮化鎵產品創新，使電動汽車、數據中心/人工智能和其他多市場電源系統成為可能全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，將在2024德國紐倫堡電力電子系統及元器件展覽會（PCI... （來源：新聞頻道）
Transphorm SuperGaN PCIM 2024 2024-5-22 09:00
電機驅動器運行的惡劣環境可能會因逆變器擊穿和電機繞組絕緣擊穿等故障情況而導致過流水平。功率器件需要在保護檢測電路觸發和關閉電機驅動所需的時間內承受這些事件。SC 事件通常具有以下特征：高漏極電壓 (V DS ) 和漏極電流 (I DS )的組合。在這種情況下流動的電流是器件的飽和電流(I DSAT )。電流密... （來源：技術文章頻道）
GaN HEMT 功率器件 2024-5-15 09:43
作者: 付斌今年年初，專注于垂直GaN器件的兩家公司NexGen和Odyssey接連破產倒閉、出售資產解散引發行業關注。那時候大家都有一個共同的疑問——垂直GaN到底行不行？昨日，Odyssey買家浮現，Power Integrations（PI）宣布收購與其達成協議，將收購Odyssey資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odys... （來源：新聞頻道）
GaN 寬禁帶半導體 功率半導體 2024-5-13 08:55
該SiP系列現已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，為支持新一代適配器和充電器拓展了功率等級全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）今日宣布推出兩款新型... （來源：新聞頻道）
Transphorm偉詮電子集成型SiP氮化鎵器件 2024-4-25 09:14
新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅（SiC）替代器件全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... （來源：新品頻道）
Transphorm TO－247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
增強瑞薩寬禁帶專業知識和產品路線圖發展，以應對電動汽車、數據中心、人工智能電源以及可再生能源快速增長的市場機遇 Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞薩CEO柴田英利 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“... （來源：新聞頻道）
瑞薩 Transphorm GaN技術 2024-1-12 10:15
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