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基于碳化硅（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技股份公司宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業內領先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半導體器件，用于... （來源：新聞頻道）
英飛凌 新能源汽車充電市場 2023-9-22 11:29
作者：Doctor M消費電子的小型化、一體化，汽車和工業設備的智能化，幾乎都是各行業不可逆的發展趨勢。在這樣的大趨勢下，系統設計面臨著一個共同的難題：如何在有限的空間內實現更高的功率？毫無疑問，對于電源產品而言，不斷追求更高的功率密度和轉換效率是一個常講常新的話題，設計人員將持續在這方... （來源：技術文章頻道）
功率密度 穩壓DC轉換器 2022-5-7 11:29
功率轉換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設計快速開關的單極器件。因此，現在僅在低壓環境（<600 V）下才可能使用的解決方案現在也可以在更高的電壓下使用。結果是最高的效率，更高的開關頻率，更... （來源：技術文章頻道）
碳化硅（SiC）晶體管 功率轉換器 CoolSiC MOSFET技術 2021-9-18 13:59
近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）將EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B封裝的導通電阻（R DS(on)）為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的導通電阻（R DS(on)）為6 mΩ。升級為高性能AIN后，該1200 ... （來源：新品頻道）
英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET 2021-8-9 13:19
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