前往首頁 聯系我們 網站地圖
為加速實現碳中和，正在實施各種電氣化和節能化舉措。世界各國政府以及各行各業的企業正在共同努力，推進邁向碳中和的舉措。人們正在從能夠想到的多個角度實施脫碳措施，例如使用太陽能發電等可再生能源，讓迄今為止燃燒化石燃料的設備實現電氣化，降低家用電器、IT設備和工業電機等現有設備的功耗等等... （來源：技術文章頻道）
SiC GaN 碳中和 2023-12-27 11:03
UPS 的實用性如上所述，UPS是在停電或電力不足時提供應急電源的設備。它們用于保護敏感電子設備免受電壓波動或斷電造成的損壞。在有市電的情況下，UPS 將交流電轉換為直流電，并存儲在電池中。如果發生停電，UPS 使用電池中存儲的能量為連接的設備供電，然后將直流電轉換為交流電。UPS 有不同的尺寸和電... （來源：技術文章頻道）
UPS敏感電子設備 2023-11-6 11:14
Microchip公司的 dsPIC33CK64MC105系列是16位數字信號控制器,集成了高速ADC,運算放大器,比較器和高分辨率PWM. dsPIC33CK64MC105系列CPU具有16位哈佛架構和增強指令集,包括特別支持數字信號處理(DSP).CPU有24位可變長度操作碼字段指令字.程序計數器(PC)是23位居寬和地址高達4Mx24位用戶程序存儲器空間.指... （來源：解決方案頻道）
電源管理DC／DC轉換器DC／AC轉換器馬達控制 Microchip dsPIC33CK64MC105 2022-5-18 16:40
作者：Doctor M電氣化是第二次工業革命的典型標志，雖然我們當下正在推動以"工業4.0"為代表的第四次工業革命，但電力依然是國民經濟和人民生活主要的能量來源，隨著新能源理念的推行，電氣化的滲透率在穩步上升。以汽車電子/電氣化趨勢為例，根據中國乘聯會的統計數據，2021年8月份中國新能源汽車滲透率... （來源：技術文章頻道）
電源轉換 DC／DC轉換器 2022-1-27 11:22
作者：Steven Keeping對緊湊但功能強大的電機的需求為設計工程師帶來了新的挑戰。為了盡可能提高小型電機的功率輸出，工程師們開始轉向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和集成柵極雙極晶體管 (IGBT) — 它們都是傳統開關模式逆變器（現代電機控制的重要組成部分）的基礎... （來源：技術文章頻道）
GaN HEMT 高頻電機驅動 2021-9-26 10:41
ST公司的MASTERGAN5是高功率密度兩個增強模式GaN功率HEMT的600V半橋驅動器,具有先進的功率系統級封裝(SiP),集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN具有650V漏極-源極電壓和450 mΩ的RDS(ON).同時嵌入的柵極驅動器的高邊很容易由集成的自舉二極管進行供電.MASTERGAN5在低和... （來源：解決方案頻道）
電源管理開關電源SMPSDC／DC轉換器DC／AC轉換器GaN功率晶體管 ST MASTERGAN5 2021-9-17 14:38
ST公司的MASTERGAN4是先進功率系統級封裝(SiP),集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN有650V漏極-源極阻斷電壓,RDS(ON) 為225 mΩ.而高邊嵌入柵極驅動器能很容易由集成的陰極負載二極管供電.MASTERGAN4在低和高邊驅動部分具有UVLO保護,從而防止功率開關工作在低效率或危... （來源：解決方案頻道）
電源管理GaN功率晶體管 ST MASTERGAN4 2021-8-23 13:43
ST公司的MASTERGAN1是先進的功率系統級封裝,集成了柵極驅動器和兩個增強模式半橋配置的GaN晶體管.集成的功率GaN的RDS(ON)為150 mΩ,漏-源擊穿電壓為650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高邊柵極驅動器很容易有集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1器件在低邊和高邊驅動兩部分有UVLO保護,從而阻止了功率開關工作在... （來源：解決方案頻道）
電源管理 GaN HEMT STMASTERGAN1 2021-6-15 16:30
ST公司的MASTERGAN4是先進的系統級封裝(SiP),集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強型氮化鎵(GaN)功率晶體管.集成的功率GaN具有650V漏-源阻隔電壓和225 mΩ的RDS(ON), IDS(MAX)為 6.5 A而嵌入的高邊柵極驅動器能和容易由集成的自舉二極管供電. MASTERGAN4在低壓和高壓驅動部分有UVLO保護,以防止功率開關... （來源：解決方案頻道）
電源管理開關電源SMPS充電器和適配器DC／DC轉換器AC/AC轉換器 ST MASTERGAN4 2021-5-13 16:12
ST公司的MASTERGAN1是650V增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進的功率系統級封裝,集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅動很容易由集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1對低和高驅動部分具有UVLO保護,以防止功率... （來源：解決方案頻道）
電源管理氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT)開關電源DC／DC轉換器 ST MASTERGAN1 2020-10-21 15:30
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到19條【DC/AC轉換器】相關的全部。
![[原創]Microchip dsPIC33CK64MC105 16位數字信號控制器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202205/sm_20220518164027.jpg)
![[原創]ST MASTERGAN5 600V增強模式GaN功率半橋驅動器解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202109/sm_20210917143839.gif)
![[原創]ST MASTERGAN4系統級封裝(SiP) 650V GaN驅動方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202108/sm_20210823134341.gif)
![[原創]ST MASTERGAN1 650V增強模式GaN HEMT解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202106/sm_20210615163000.gif)
![[原創]ST MASTERGAN4增強型650V GaN功率晶體管解決方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202105/sm_20210513161217.gif)
![[原創]ST MASTERGAN1 650V氮化鎵(GaN)晶體管半橋驅動方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202010/sm_20201021153024.jpg)
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博