中恒微推出Drive ED3 (EconoDUAL™ 3)封裝的SiC功率模塊,使用平面柵(planer gate)SiC MOSFET芯片技術(shù),在高溫下具有優(yōu)異的RDS(ON)表現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)封裝具有良好的適配性。能夠提供更高的可靠性、更高的轉(zhuǎn)換效率、更高的頻率應(yīng)用以及更大的功率密度。主要應(yīng)用于新能源汽車、儲能變流器、電能質(zhì)量、... (來源:新品頻道)
中恒微Drive ED3封裝SiC 2025-5-13 10:56