中恒微推出Drive ED3 （EconoDUAL™ 3）封裝的SiC功率模塊，使用平面柵（planer gate）SiC MOSFET芯片技術(shù)，在高溫下具有優(yōu)異的RDS（ON）表現(xiàn)，標(biāo)準(zhǔn)封裝具有良好的適配性。能夠提供更高的可靠性、更高的轉(zhuǎn)換效率、更高的頻率應(yīng)用以及更大的功率密度。主要應(yīng)用于新能源汽車、儲能變流器、電能質(zhì)量、... （來源：新品頻道）
中恒微Drive ED3封裝SiC 2025-5-13 10:56
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