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根據(jù)Synergy Research Group的報告顯示，截至2024年底，超大規(guī)模運營商運營的數(shù)據(jù)中心數(shù)量達到1136個，較2019年第四季度的不到600個大幅增加，意味著全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心數(shù)量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外，未來幾年規(guī)劃中的數(shù)據(jù)中心項目數(shù)量自2022年3月以來增長了60%，從314個增加到2025年3月的... （來源：技術(shù)文章頻道）
寬禁帶半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心電源 2025-4-18 14:05
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關(guān)器件的核心”，這一技術(shù)如今已經(jīng)通過快充進入到了千家萬戶，但如何持續(xù)發(fā)揮出氮化鎵的功率優(yōu)勢，在不同領(lǐng)域都實現(xiàn)如快充頭一樣的普及，一直是行業(yè)難題。 德州儀器（TI）日前推出了行業(yè)標準TOLL封裝的GaN LMG365x，滿足... （來源：技術(shù)文章頻道）
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并聯(lián)組合降低了成本、實現(xiàn)高效率無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解決方案使 CGD 利用其 ... （來源：新聞頻道）
CGDGAN電動汽車逆變器 2025-3-11 14:30
• 自劍橋大學(xué)分拆成立的CGD 獲得 C 輪融資，擴大在劍橋、北美、中國臺灣和歐洲的業(yè)務(wù) • CGD 利用氮化鎵（GaN）開發(fā)的節(jié)能半導(dǎo)體重塑電力電子的未來 • CGD 的技術(shù)幫助電動汽車和數(shù)據(jù)中心提高能效，為全球功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來重大機遇 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新... （來源：新聞頻道）
CGD功率半導(dǎo)體 2025-2-19 09:42
作者：George Hempt文章概述 本文介紹了寬帶隙（GaN）技術(shù)在高壓LED照明中的應(yīng)用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術(shù)的LED驅(qū)動器架構(gòu)的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能... （來源：技術(shù)文章頻道）
LED照明 GaN GaN晶體管 2024-12-5 11:02
雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機控制器/驅(qū)動器與CGD易于使用的ICeGaN IC結(jié)合于新的評估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）是一家專注于研發(fā)高效能氮化鎵（GaN）功率組件的半導(dǎo)體公司，致力于打造更環(huán)保的電子組件。近日，該公司與全球領(lǐng)先的連接... （來源：新聞頻道）
CGD Qorvo 電機控制解決方案 2024-11-15 09:42
共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增強模式行為，并且該技術(shù)自 2010 年代初期以來已投入商業(yè)應(yīng)用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡化了... （來源：技術(shù)文章頻道）
共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03
采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現(xiàn)出超高的電氣性能，支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應(yīng)用，堅固可靠無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設(shè)計的、超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)... （來源：新品頻道）
CGD GaN功率IC 2024-6-12 10:24
評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅(qū)動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商... （來源：新聞頻道）
CGD 電機控制 GaN優(yōu)勢 2024-6-7 14:00
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于... （來源：新品頻道）
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
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