前往首頁 聯系我們 網站地圖
作者:Kevin Thai,應用經理 問題 沒有專門用于驅動GaNFET的控制器時,如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器? 回答 眾所周知,GaNFET比較難驅動,如果使用原本用于驅動硅(Si) MOSFET的驅動器,可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅動電壓和一些小型保護電路,可以為四開... (來源:技術文章頻道)
硅MOSFET設計 DC-DC控制器 驅動GaNFET 2025-1-6 14:18
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術,有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅動器,而新的GaN驅動器和內置G... (來源:技術文章頻道)
GaNFET設計 LT8390A GaN DC-DC轉換器 2024-11-5 10:18
如今,圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點,第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求,被認為是突破傳統硅(Si)器件性能天花板的必由之路。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三... (來源:技術文章頻道)
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結構如圖 1 (a) 所示,在共源共柵配置中結合了低壓常關硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產生了增強模式行為,并且該技術自 2010 年代初期以來已投入商業應用。與原生 GaN 解決方案相比,硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V,簡化了... (來源:技術文章頻道)
共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03
AHV85110針對驅動多種應用和拓撲中的GaNFET進行了優化。一個隔離式輸出偏置電源集成在驅動器器件中,無需任何外部驅動輔助偏置電源或自舉。這大大簡化了系統設計,并通過降低總共模(CM)電容來降低EMI。它還允許在開關電源拓撲中的任何位置驅動浮動開關。該驅動器具有快速傳播延遲和高峰值拉電流/灌電... (來源:新品頻道)
隔離室柵極驅動器開關電源EMI 2023-10-12 10:53
作者: Art Pini面對社會和監管要求,電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業基礎設施的應用,電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。為了滿足這些要求,開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵 電源管理 GaN FET 2023-4-6 09:43
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵(以下簡稱“GaN”)功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要,本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。 本設計文檔其余部分... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵 GaN PCB設計 柵極驅動器 2023-2-23 14:25
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題,因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能,使用 GaN... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵(GaN) 柵極驅動器 2022-9-15 11:25
作者:Sandeep Bahl, TI技術專家氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)正迅速獲得采用,因為它能夠提高效率并縮小電源供應器尺寸。不過,在投資這個技術之前,您可能仍會問自己GaN是否可靠。但令我震驚的是,沒有人問硅(Si)是否可靠。其實仍然有新的硅產品持續上市,電源設計人員也同樣關注硅功率組件的可靠性。... (來源:技術文章頻道)
GaN 氮化鎵 場效應晶體管 2022-7-28 15:10
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術 :其屬性、優點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當今這個技術驅動的環境下發揮越來越重要的作用。GaN :可靠的技術GaN 是一項久經考驗的化合物半導體技術。自 20 世紀 80 年代以來,化合物半導體一直都是高性能應用中... (來源:技術文章頻道)
GaN 技術 GaN 器件 2022-3-21 15:07
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099