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共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結構如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結合了低壓常關硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產生了增強模式行為，并且該技術自 2010 年代初期以來已投入商業應用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡化了... （來源：技術文章頻道）
共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人... （來源：技術文章頻道）
GaN 功率器件氮化鎵 2024-4-1 09:30
· 基于氮化鎵 (GaN) 的產品可以取得更高的能效，幫助工程師設計出更緊湊的電源，適合各種消費、工業和汽車應用 · 意法半導體 PowerGaN系列第一款產品現已投產；很快還將推出其他的不同封裝和規格的產品 服務... （來源：新品頻道）
意法半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN電源 2021-12-17 16:14
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