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如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三... （來源：技術(shù)文章頻道）
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
據(jù)行業(yè)媒體報道，歐洲芯片制造商英飛凌押注下一代功率半導體，用于從超高速手機充電器到電動汽車的各種領(lǐng)域，以求在更廣泛的芯片市場低迷的情況下刺激增長。英飛凌功率和傳感器系統(tǒng)總裁懷特表示，英飛凌特別看好氮化鎵（GaN）芯片。該公司預測，到2027年，氮化鎵芯片市場將以每年56%的速度增長。Yole預... （來源：新聞頻道）
英飛凌 氮化鎵芯片 2023-3-24 11:15
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科銳無線射頻銷售與市場總監(jiān) Tom Dekker 表示：“與同頻率范圍的 GaAs 晶體管相比，科銳... （來源：新品頻道）
科銳GaN基固態(tài)放大器平臺 2012-7-11 13:54
Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET... （來源：新品頻道）
5GHzWiMAXGaN HEMT產(chǎn)品 2008-6-13 18:02
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