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↓在全部中搜索到 50 條關于“HBM2E”的信息，用時:0.027 sec.

Altera Agilex 7 M 系列FPGA正式量產，提供行業領先的內存帶寬

經優化，Agilex™️ 7 M系列 FPGA專為 AI與數據密集型應用設計，有效緩解內存瓶頸近日，全球FPGA 創新技術領導者 Altera 宣布， Agilex™ 7 M 系列FPGA正式量產出貨，這是現階段業界領先的集成高帶寬存儲器，并支持 DDR5 和 LPDDR5 存儲器技術的高端...
Altera Agilex 7 M 系...FPGA內存帶寬 2025-04-11

美光針對現代數據中心推出的最快內存 — HBM2E

作者：美光全球顯存業務主管 Bill Randolph 數據中心在不斷發展，以解決快速高效地存儲、移動和分析數據時所面臨的挑戰。在很大程度上，其不斷發展是由如下所示的四種高性能應用趨勢所推動的。傳統的游戲和專業視覺應用主要集中在個人電腦領域，采用快速 GDDR 內存。但隨著人工智能（AI）訓練和推理...
數據中心美光內存HBM2E 2021-07-30

“中國最大”AI 單芯片邃思 2.0 發布：12nm 工藝，支持 HBM2E 內存

今天，中國最大 AI 單芯片邃思 2.0 在上海正式發布，這款芯片面向 AI 云端訓練，尺寸為 57.5 毫米 ×57.5 毫米（面積為 3306mm2），達到了芯片采用的日月光 2.5D 封裝的極限，與上代產品一樣采用格羅方德 12nm 工藝，單精度 FP32 算力為 40TFLOPS，單精度張量 TF32 算力為 160TFLOPS，整數精度 INT8 算力...
AI邃思 2燧原科技 2021-07-08

Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴展其高性能內存子系統產品

· 支持需要TB級帶寬的加速器，用于人工智能/機器學習（AI / ML）訓練應用 · 完全集成的HBM2E內存接口子系統，由經過驗證的PHY和控制器組成，在先進的Samsung 14/11nm FinFET工藝上經過硅驗證 · &nb...
RambusHBM2E 2021-05-25

新思科技與Socionext擴大合作，將5nm工藝HBM2E IP部署于AI和高性能計算SoC

新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼：SNPS）和Socionext（索喜科技）今日宣布擴展雙方合作，基于新思科技的DesignWare® IP組合，Socionext還將使用新思科技的HBM2E IP，以在人工智能和高性能計算（HPC）)應用中實現最大的內存吞吐量。新思科技的HBM2E IP運行速度為3.6Gbps，能夠滿足...
5nmSocionext新思科技 2021-01-13

Rambus的HBM2E性能實現4．0 Gbps，為AI／ML提速

Rambus Inc.是一家專注于使數據更快更安全并領先業界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的 HBM2E內存接口解決方案實現了創紀錄的4 Gbps性能。該解決方案由完全集成的PHY和控制器組成，搭配業界最快的，來自SK hynix的3.6Gbps運行速度的HBM2E DRAM，該解決方案可以從單個HBM2E設備提供460 GB/...
RambusHBM2E 2020-09-10

SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’

SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com/cha/main.do）宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。圖1. SK海力士宣布開始量產超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能...
SK海力士DRAMHBM2E 2020-07-02

臺積電5nm打造1700平方毫米巨型中介層：集成96GB HBM2E內存

晶體管越來越小，但是高性能計算需求越來越高，有些人就反其道而行之，嘗試制造超大芯片。之前我們就見識過Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE，擁有46225平方毫米面積、1.2萬億個晶體管、40萬個AI核心、18GB SRAM緩存……并得到了美國能源部的青睞和部署。現在，臺積電、博通聯合宣布，雙方將利用...
CoWoS封裝技術96GB HBM2E內存 2020-03-06

新思科技提供運行速度達3．2 Gbps且經驗證的HBM2E PHY IP核

-基于臺積公司7納米工藝的DesignWare HBM2E PHY IP核為高級圖形、高性能計算和網絡芯片提供高吞吐量重點：基于臺積公司7納米工藝的DesignWare HBM2E IP核提供高達409 GBps的聚合內存帶寬，具有低功耗和低延遲特點。采用2.5D封裝的HBM2E PHY已通過臺積公司CoWoS®技術驗證，集成了測試芯片與IP核和HB...
新思科技HBM2E PHY IP核 2020-03-03

全球首款!三星推出第三代HBM2E內存，16GB容量

日前，三星宣布推出業界首款第三代HBM2E內存，新的HBM2E內存由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成，單個封裝可以達到16GB的總容量，并且其擁有高達3.2Gbps的傳輸速率。新型Flashbolt準備提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的兩倍，還可以顯著提高性能和電源效率，從而顯著改善下一代計算系統。通過在緩沖...
三星第三代HBM2E內存 2020-02-06

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