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據(jù)韓國(guó)媒體《THEELEC》報(bào)導(dǎo)指出，三星電子在23 日舉行的在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)議Hotchips 33 上宣布，三星電子將于2022 年底開始量產(chǎn)8 層堆疊的DDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)介紹，該8層堆疊的DDR5內(nèi)存芯片將使用其矽通孔(TSV) 技術(shù)，將512GB DDR5 內(nèi)存模組進(jìn)一步堆疊起來。而目前該公司已經(jīng)生產(chǎn)出采用TSV 技術(shù)4 層堆... （來源：新聞?lì)l道）
三星DDR5芯片 2021-8-27 10:07
隨著年底英特爾 12 代酷睿 Alder Lake 系列以及 AMD 下一代 Zen4 處理器的到來，DDR5 內(nèi)存將步入大眾生活，在此之前，各家存儲(chǔ)半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開始推廣其新一代 DDR5 內(nèi)存。 在今日的 HotChips 33 上，AMD 等一眾行業(yè)巨頭均有參會(huì)，其中三星便揭曉了業(yè)內(nèi)首款單條 512GB 的 DDR5 內(nèi)存條（消費(fèi)級(jí) 64GB），... （來源：新聞?lì)l道）
三星512GB DDR5內(nèi)存 2021-8-23 17:01
在 HotChips 33 大會(huì)上，三星確認(rèn)正在開發(fā)具有 8 層 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 內(nèi)存模塊，是 DDR4 內(nèi)存容量的兩倍。這意味著理論上，512GB 內(nèi)存模塊是可能實(shí)現(xiàn)的。 通過優(yōu)化封裝，三星的 DDR5 內(nèi)存模塊高度將低于 DDR4 4 層內(nèi)存。由于管芯之間的間隙更小（減少 40%）以及通過實(shí)施薄晶圓處理技術(shù)... （來源：新聞?lì)l道）
三星DDR5 2021-8-23 11:01
作者: 姚頌姚頌是現(xiàn)任賽靈思人工智能業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)，負(fù)責(zé)公司在全球領(lǐng)域的人工智能業(yè)務(wù)拓展和生態(tài)建設(shè)。 在明確的需求驅(qū)動(dòng)下，百度、阿里、騰訊等互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛加入云端 AI 芯片市場(chǎng)，芯片公司們也必須清楚自己的客戶在哪里。此外，除了硬件本身，芯片公司還需要關(guān)注全系統(tǒng)設(shè)計(jì)、考慮經(jīng)濟(jì)性問題、... （來源：技術(shù)文章頻道）
HotChips 2021-1-13 10:19
近年來，光子芯片發(fā)展勢(shì)頭正猛，其中兩家初創(chuàng)公司(Lightmatter和Lightelligence)都展示了為人工智能加速設(shè)計(jì)的光學(xué)計(jì)算芯片，還有其他幾家公司仍在研究這項(xiàng)技術(shù)。以Lightmatter為例，它在上周Hotchips上發(fā)布了AI光子處理器，該處理器利用光來計(jì)算和傳輸數(shù)據(jù)。 光學(xué)計(jì)算幾乎不使用任何電能，以... （來源：技術(shù)文章頻道）
硅光子 Lightmatter MAC 2020-8-26 11:21
最近，8月16-18日，Hotchips 32會(huì)議成功召開，由于新冠疫情原因，今年的大會(huì)首次僅向參加者提供在線會(huì)議形式。 會(huì)議上，Intel、AMD等半導(dǎo)體巨頭都做了最新研究和產(chǎn)品進(jìn)展的匯報(bào)，我國(guó)的阿里巴巴和百度也有新技術(shù)匯報(bào)。 其中，有個(gè)初創(chuàng)企業(yè)Cerebras Systems再一次吸引了大家的注意，這... （來源：新聞?lì)l道）
WES Cerebras 2020-8-21 10:24
Silicon Photonics芯片吸引著公司和研究人員的主要原因是成本低，功耗低，其中Si是導(dǎo)光的良好材料。隨著CMOS晶體管尺寸逐漸減小，光學(xué)器件卻無法繼續(xù)縮減，成了研究人員極其關(guān)注的一個(gè)研究方向。 在今年的Hotchips上，波士頓的Lightmatter公司為我們帶來了他們的新型硅光子芯片—Lightmat... （來源：新品頻道）
Lightmatter 硅光子芯片Mars 2020-8-20 12:00
我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體大部分是硅基電路，問世已經(jīng)60年了，多年來都是按照摩爾定律2年一次微縮的規(guī)律發(fā)展，但它終究是有極限的。臺(tái)積電在突破5nm、3nm及未來的2nm之后，下一步就要進(jìn)軍1nm工藝了。 根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，今年會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，2022年則會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，2nm工藝已經(jīng)在研發(fā)中了，預(yù)計(jì)會(huì)在20... （來源：新聞?lì)l道）
臺(tái)積電1nm工藝 2020-4-27 16:12
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