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作者：安森美 碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作，從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... （來源：技術文章頻道）
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
TDK株式會社（東京證券交易所代碼：6762）隆重發布新的B3264xH系列雙面蒸鍍金屬化聚丙烯 (MMKP) 薄膜電容器。新系列元件專為應對高頻應用中高達6,500 V/µs的脈沖應力而設計，有效補充了傳統解決方案的局限。這些元件非常適合諧振電路應用，尤其是應用廣泛的LLC拓撲結構。憑借緊湊的外形... （來源：新品頻道）
TDK薄膜電容器 2025-8-7 09:25
英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。作者：Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統事業部 高級首席系統架構師前言人工智能（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺G... （來源：技術文章頻道）
升級電源機架架構AI服務器 2025-2-24 14:21
效率超97.5%！由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代電源方案，完美適配AI和超大規模數據中心納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發布全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規模數... （來源：新品頻道）
納微半導體 數據中心 服務器電源 2024-11-12 10:09
作者: e絡盟技術團隊引言開發板可為充電概念提供快速原型設計、降低開發成本、提高靈活性并且使其更快地上市。它們可加快原型設計周期，允許快速迭代設計并測試各種充電概念，且無需進行定制硬件設計。這不僅降低了總體開發成本，而且允許模塊化設計和定制選項。這些開發板無需定制硬件設計，從而能夠方... （來源：技術文章頻道）
電動車 充電站 開發指南 電動車充電 逆變器 2024-7-29 15:24
USB PD組織發布了最新的USB PD3.1 EPR規范，最大的輸出達到48V5A, 240W的功率，使得傳統的單開關QR Flyback方案難以滿足設計指標，不管是開關管的峰值電流承受能力以及管子的電壓應力還是效率都難以滿足要求，而LLC拓撲結構雖然有著很高的效率但是又很難滿足接近十倍的輸出電壓范圍指標，如果LLC的后級... （來源：技術文章頻道）
雙管反激 240W USB PD3．1 EPR設計 2024-5-24 11:01
本文作者：Kane Jia，安森美應用營銷工程師電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開... （來源：技術文章頻道）
SiC 電池儲能 EliteSiC 2024-4-2 10:25
在ACDC開關電源設計過程中，當需要實現高效率設計需求時，工程師往往會考慮LLC諧振半橋拓撲結構。LLC拓撲結構可以實現軟開關，因此在開關電源設計尤其是在大功率的開關電源設計過程中往往具有優勢。目前市面上經常可以看到的NCP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓撲結構控制芯片家族的代表成... （來源：技術文章頻道）
LLC諧振電路 開關電源 NCP1399 2024-3-6 10:32
ACDC 開關電源 LLC拓撲結構 負載打嗝模式 2023-12-21 14:39
隨著物聯網，尤其是智能照明和智能家居的發展，高效高性能的小體積電源越來越被市場所需求。如何能在電源體積做得更小的情況下，依然能夠保證最好的性能？安森美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：適配于氮化鎵（GaN）開關器件，工作于高頻開關頻率場合下的小體積PFC & LLC... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 開關器件 照明電源 2023-12-20 11:03
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