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作者:Steven Keeping對(duì)緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們開(kāi)始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和集成柵極雙極晶體管 (IGBT) — 它們都是傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)模式逆變器(現(xiàn)代電機(jī)控制的重要組成部分)的基礎(chǔ)... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
GaN HEMT 高頻電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2021-9-26 10:41
1 簡(jiǎn)介GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開(kāi)關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗,這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。為了充分利用 GaN 的快速開(kāi)關(guān)速度,需要更大限度地減小電源環(huán)路電感。這需要仔細(xì)考慮PCB 布局,并對(duì) GaN FET 采用電感超低的封裝。TI 的 LMG341XRxxx 系列采用 8mm ... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
GaN 功率級(jí)設(shè)計(jì) 高頻電源轉(zhuǎn)換器 2021-3-1 15:10
作者: Serkan Dusmez, Yong Xie, Masoud Beheshti, and Paul在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中,熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后,工程師能夠?qū)?nbsp;GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊(cè)論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級(jí)系列非常重要的權(quán)衡標(biāo)準(zhǔn)和注意事項(xiàng),包括 ... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
GaN 散熱器 2020-12-14 09:31
TI公司的TIDM-02008是采用C2000™ MCU和LMG341xR070600-V 70-mΩGaN FET的雙向高密度GaN晶體管CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì).具有交錯(cuò)3.3kW單相雙向無(wú)橋CCM圖騰柱PFC級(jí),100kHz脈寬調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān),可編輸出電壓,380V DC為正常輸出值,峰值效率大于98%,總諧波失真(THD)小于2%,支持powerSUITE™,便于容易設(shè)... (來(lái)源:解決方案頻道)
電源管理AC/DC轉(zhuǎn)換器GaN FET TI TIDM-02008 2020-10-30 14:41
TI公司的LMG341xR070是集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)特性的GaN功率級(jí),在功率電子系統(tǒng)中達(dá)到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有優(yōu)勢(shì)是超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開(kāi)關(guān)損耗達(dá)80%之多,而低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴則降低了EMI.這些優(yōu)點(diǎn)使得功率密度和拓?fù)漕愃朴趫D騰柱PFC.集成的驅(qū)動(dòng)器具有零共... (來(lái)源:解決方案頻道)
電源管理PFC GaNTILMG341xR070TIDM-02008 2020-8-7 13:01
隨著電動(dòng)汽車(EV)數(shù)量的增加,全球范圍內(nèi)對(duì)于創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也越來(lái)越多,而且這些系統(tǒng)和以往相比,可以更快地為車輛充電。與先前的電動(dòng)汽車相比,新型電動(dòng)汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開(kāi)發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。根據(jù)聯(lián)合充電標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
電動(dòng)汽車充電站電動(dòng)汽車(EV) 2019-12-19 15:11
德州儀器(TI)氮化鎵解決方案高級(jí)技術(shù)戰(zhàn)略經(jīng)理 Masoud Beheshti 近期發(fā)布了一篇標(biāo)題為《德州儀器用2000萬(wàn)個(gè)小時(shí)給出使用氮化鎵(GaN)的理由》的技術(shù)文章。以下是文章全文:在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中,進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
德州儀器LMG3410R070氮化鎵功率器件 2018-11-27 09:51
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