為提升盈利能力,三星電子正對存儲業務實施新戰略:在 DRAM 價格持續上漲的背景下,優先擴大通用型 DRAM 產能,同時暫緩高帶寬存儲器(HBM)相關投入。未來數年,公司可能會擴大通用型 DRAM 的生產,以提高盈利能力。 當前,DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 產品價格持續攀升。據市場消息,三星... (來源:新聞頻道)
三星存儲DRAM 2025-11-20 10:27
據韓國媒體Dealsite報道,韓國存儲芯片大廠SK 海力士原計劃最早于11月底啟動下一代12層堆疊的HBM4擴產設備的采購,但投資審議會議延后舉行,導致整體規劃時間略為延遲,導致設備導入延后至明年年初。 報道指出,SK 海力士原定10月召開投資審議委員會,但因連假與集團人事調整而延后至11月底至12月初... (來源:新聞頻道)
SK海力士HBM4 2025-11-13 09:03
英特爾首席技術官(CTO)薩欽・卡蒂(Sachin Katti)宣布從英特爾離職并加入OpenAI,將負責后者的基礎設施相關崗位,投身于通用人工智能(AGI)的計算基礎設施打造工作。 根據英特爾官網信息顯示,薩欽・卡蒂在英特爾在英特爾任職期間擔任高級副總裁(SVP)、首席技術官(CTO)及人... (來源:新聞頻道)
英特爾OpenAI 2025-11-11 15:11
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布,其EcoGaN™ Power Stage IC已應用于包括游戲筆記本電腦在內的MSI(微星)產品的AC適配器。 這款AC適配器由全球領先的電源制造商臺達開發,采用EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G005MUV-LB”,具備高速電源切換... (來源:新品頻道)
羅姆EcoGaNAC適配器 2025-11-6 16:21
工業領域中的快速直流電動汽車(EV)充電、兆瓦級充電、儲能系統,以及不間斷電源設備,往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率循環能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求,全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代... (來源:新品頻道)
英飛凌EasyPACK 功率模塊 2025-10-31 14:22
英飛凌全新微控制器PSOC™ Edge將搭載Qt for MCUs解決方案,助力開發者基于低硬件資源占用快速開發具備豐富用戶界面的消費類設備,例如智能健康穿戴設備與智能家居中樞 Qt Group(Nasdaq Helsinki: QTCOM)10月17日宣布,將其輕量級高性能圖形框架Qt for MCUs移植入英飛凌全新微控制器PSOC&tr... (來源:新聞頻道)
Qt Group消費類設備 2025-10-20 11:31
電動汽車充電、電池儲能系統,以及商用、工程和農用車輛(CAV)等大功率應用場景,正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求,以滿足日益提升的性能預期。同時,這些需求也帶來了新的設計挑戰,例如,如何在嚴苛環境條件下實現可靠運行、在應對瞬態過載時如何保持穩定性,以及如何優化整體系統性能。... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC MOSFET 2025-10-20 10:14
楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布在芯片設計自動化和 IP 領域取得重大進展,這一成果得益于其與臺積公司的長期合作關系,雙方共同開發先進的設計基礎設施,縮短產品上市周期,以滿足 AI 和 HPC 客戶的應用需求。Cadence 與臺積公司在 AI 驅動的 EDA、3D-IC、IP 及光子學等領域展開... (來源:新聞頻道)
Cadence 臺積公司 2025-10-11 10:34
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET產品組合,新增 75 mΩ 規格型號,以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統的需求。該系列器件提供多種封裝選擇,包括... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23
人工智能正推動著對更高計算密度的需求。但滿足這一需求并非是把更多服務器塞進機架那么簡單。 • 1兆瓦(MW)機架即將到來,標志著機架功率水平呈指數級躍升 • 這些新型機架將需要強大的液冷系統 • 它們還需要全新的物理設計,以實現電力分配與計算模塊的分離... (來源:技術文章頻道)
數據中心電源人工智能 2025-9-18 10:00