iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術現已全面量產,首款產品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。 SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破,在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸,將n型導電... (來源:新品頻道)
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
如今,雖產業生態格局持續動蕩,不確定性成為了最大的確定性,導致越來越多的企業直面生存“大考”,但所幸雙碳與數智化的推進已經形成全球化浪潮,也為整個行業錨定了“新”賽道。緊跟行業發展態勢的慕尼黑華南電子展本次就聚焦了新能源汽車、儲能、數據中心、智能座艙、智能家居、可穿戴醫療、工業、... (來源:新聞頻道)
閃耀光儲2023慕尼黑華南電子展 2023-10-31 09:20
硅半導體市場份額由傳統國際芯片大廠所占有,在全球疫情持續影響下,現有的芯片供應鏈弊病暴露,芯片大廠產能縮水,供應緊張,價格飛漲,導致國內多個應用市場面臨“缺芯”停產的窘境。在可預見的未來中,5G通信、新能源汽車市場正在快速崛起,如何避免化合物半導體行業重蹈硅半導體的覆轍,早日實現快... (來源:新聞頻道)
三安集成 2021-3-18 10:05
SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺,基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合,能夠應對市場更新的設計挑戰,可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術,擴大了終端系統的功率范圍,在更高溫度時仍能提供低導通... (來源:新品頻道)
Cree SiC功率器件900V MOSFET平臺C3M0065090J 2015-9-7 11:22
科銳公司(Nasdaq:CREE)市場的領導者在碳化硅(SiC)功率的產品,推出了其最新突破SiC功率器件技術:業界首款900V MOSFET平臺。優化用于高頻功率電子應用,包括可再生能源逆變器,電動汽車充電系統,以及三相工業電源,新900V平臺使得體積更小,效率更高的下一代電力轉換系統的成本奇偶硅為基礎的解決... (來源:新品頻道)
MOSFET平臺電動汽車充電系統電力轉換系統再生能源逆變器 2015-5-14 10:47
NXP推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術。NextPowerS3是業界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET,通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能,而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產品適合于各種應... (來源:新品頻道)
NXP30VMOSFET平臺NextPowerS3SchottkyPlus 2013-9-25 09:37